전력 변환용 고전압 IC 전문업체인 파워 인테그레이션스(Power Integrations)가 실리콘 다이오드에 업계 최저의 역 회복 전하(Qrr)를 제공하는 600V 12A Qspeed 다이오드를 출시했다. 이 제품은 25°C에서 단 14nC의 Qrr로 온보드 충전기의 PFC단 효율을 개선하고 PFC MOSFET의 열을 크게 줄인다. AEC-Q101 인증 QH12TZ600Q는 더욱 높은
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로옴, 소형 면실장 패키지 채용한 1700V SiC MOS 내장 AC/DC 컨버터 IC 개발
II-VI Incorporated Introduces Heated Ion Implantation Foundry Services for 150 mm Silicon Carbide Wafers II‐VI , a specialist provider of foundry ion implantation services and support to the microelectronics industry, introduced heated ion implantation foundry services for 150 mm silicon carbide (SiC)
온세미컨덕터, APEC 2021서 산업용 모터 드라이브 위한 통합 솔루션 발표
Infineon expands supply base for silicon carbide with GT Advanced Technologies
실리콘랩스, Si828x 버전2로 절연형 게이트 드라이버 제품군 확장
인피니언, EV 트랙션 인버터 위한 자동차용 SiC 6팩 전력 모듈 출시
와이드 밴드갭 반도체와 디지털 제어를 사용하여 더 효과적인 역률 보정 설계(2)
II-VI expands silicon carbide manufacturing footprint for power electronics in electric vehicles and clean energy applications
II‐VI has expanded its silicon carbide (SiC) wafer finishing manufacturing footprint in China to serve the largest worldwide market for electric vehicles (EVs) and for clean energy applications. Spurred by increasing regulatory requirements for lower emissions of greenhouse gases and the decreasing cost
II-VI expands silicon carbide manufacturing footprint for power electronics in EV and clean energy applications
II‐VI, a specialist in wide-bandgap compound semiconductors, has expanded its silicon carbide (SiC) wafer finishing manufacturing footprint in China to serve the largest worldwide market for electric vehicles (EVs) and for clean energy applications. Spurred by increasing regulatory requirements for lower emissions of