GeneSiC Semiconductor의 RDS를 지원하는 자동차 및 산업 응용 분야에 효율성과 시스템 안정성을 제공하는 SiC MOSFET이 인기를 얻고 있다. GeneSiC Semiconductor의 3 세대 실리콘 카바이드 MOSFET이 바로 해당 제품이다.
1200V G3R ™ SiC MOSFET은 20 mΩ ~ 350 mΩ의 전례없는 성능을 제공하며 견고함과 높은 효율성을 특징으로 한다. 기존 제품보다 더 빠른 스위칭 주파수, 증가된 전력 밀도, 컴팩트 한 크기를 특징으로 하는 이 제품은 초고속 스위칭 속도가 필요한 전력 시스템 설계에 최적화되어 있다.
G3R ™ SiC MOSFET은 매우 낮은 게이트 전하로 업계에서 가장 낮은 온 상태 저항을 제공해 다른 유사 경쟁 제품보다 약 20% 더 나은 성능 지수를 자랑한다. 온 상태 저항의 가장 부드러운 온도 의존성으로 매우 낮은 전도 손실을 내므로 경쟁사의 트렌치 및 평면형 SiC MOSFET보다 훨씬 우수한 성능을 특징으로 한다.
전력 손실을 더욱 줄이고 작동 주파수를 높여주는 이 제품은 + 15V에서 구동하도록 설계되었으며 -5V 게이트 드라이브는 기존의 상용 IGBT 및 SiC MOSFET 게이트 드라이버와 가장 광범위한 호환성을 제공한다.
응용 분야
* 전기 자동차 – 동력 전달 장치 및 충전
* 태양광 인버터 및 에너지 저장 장치 (ESS)
* 산업용 모터 드라이브
* 무정전 전원 공급 장치 (UPS)
* 스위치 모드 전원 공급 장치 (SMPS)
* 양방향 DC-DC 컨버터
* 스마트 그리드 및 HVDC
* 유도 가열 및 용접
* 펄스 전력 애플리케이션
Hordon Kim
International Editor, hordon@powerelectronics.co.kr
