광범위한 실리콘 카바이드 (SiC) 전력 반도체의 선구자이자 글로벌 공급 업체인 GeneSiC Semiconductor가 6.5kV SiC MOSFET 베어 칩인 G2R300MT65-CAL 및 G2R325MS65-CAL공급을 시작한 이후 이 기술을 활용 한 전체 SiC 모듈을 출시했다.
GeneSiC의 혁신은 SiC DMOSFET 단위 셀에 통합된 JBS (junction barrier schottky) 정류기가 있는 SiC 이중 주입 금속 산화물 반도체 (DMOSFET) 소자 구조를 특징으로 한다. 이 첨단 전력 소자는 차세대 전력 변환 시스템의 다양한 전력 변환 회로에 사용된다.
이 소자들은 보다 효율적인 양방향 성능, 온도 독립적 스위칭, 낮은 스위칭 및 전도 손실, 냉각 요구 사항 감소, 우수한 장기 신뢰성, 장치 병렬 연결 용이성 및 비용 절감 등의 장점을 제공한다. 우수한 성능을 제공하는 GeneSiC의 기술은 전력 변환기의 순 SiC 재료를 줄일 수 있는 잠재력도 가진다.
“GeneSiC의 6.5kV SiC MOSFET은 6 인치 웨이퍼에서 설계 및 제작되어 낮은 온 스테이트 저항, 최고 품질 및 우수한 가격 대비 성능 지수를 실현한다. 온 칩 통합 JBS 다이오드를 특징으로 하는 이 차세대 MOSFET 기술은 탁월한 성능을 약속한다. 중 전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 우수한 견고성 및 장기적 신뢰성이 제품의 경쟁력을 더해준다 “라고 GeneSiC Semiconductor의 기술 부사장 인 Dr. Siddarth Sundaresan는 말했다.
GeneSiC’s 6.5kV G2R™ SiC MOSFET 기술 특징
• 높은 애벌런치 (UIS) 및 단락 견고성
• 우수한 QG x RDS (ON) 성능 지수
• 온도 독립적 스위칭 손실
• 낮은 커패시턴스 및 낮은 게이트 전하
• 모든 온도에서 낮은 손실
• 최대 175 ° C까지 정상 꺼짐 안정적인 작동
• + 20V / -5V 게이트 드라이브
응용 분야는 구동, 펄스 전력, 스마트 그리드 인프라 및 기타 고압 전력 변환기 등이다.
G2R300MT65-CAL – 6.5kV 300mΩ G2R™ SiC MOSFET Bare Chip
G2R325MS65-CAL – 6.5kV 325mΩ G2R™ SiC MOSFET (with Integrated-Schottky) Bare Chip
G2R100MT65-CAL – 6.5kV 100mΩ G2R™ SiC MOSFET Bare Chip
사양서 및 상세 정보들은 www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip 에 있으며 기타 문의는 sales@genesicsemi.com으로 하면 된다.
