실리콘 카바이드 (SiC) 전력 반도체 전문회사인 GeneSiC Semiconductor가 차세대 3300V 및 1700V 1000mΩ SiC MOSFET (G2R1000MT17J, G2R1000MT17D 및 G2R1000MT33J)을 공급한다.
이 SiC MOSFET은 에너지 저장, 재생 에너지, 산업용 모터, 범용 인버터 및 산업용 조명 전반에 걸쳐 전력 시스템을 개선하고 단순화하는 주력 성능 지수를 기반으로 우수한 성능 수준을 구현한다.
출시된 제품은 다음과 같다.
G2R1000MT33J – 3300V 1000mΩ TO-263-7 G2R™ SiC MOSFET
G2R1000MT17D – 1700V 1000mΩ TO-247-3 G2R™ SiC MOSFET
G2R1000MT17J – 1700V 1000mΩ TO-263-7 G2R™ SiC MOSFET
G3R450MT17J – 1700V 450mΩ TO-263-7 G3R™ SiC MOSFET
G3R450MT17D– 1700V 450mΩ TO-247-3 G3R™ SiC MOSFET
1000mΩ 및 450mΩ 옵션으로 SMD 및 스루 홀 개별 패키지로 제공되는 GeneSiC의 새로운 3300V 및 1700V SiC MOSFE은 높은 효율 수준과 초고속 스위칭 속도가 필요한 전력 시스템 설계에 최적화되어 있다. 이 소자들은 경쟁 제품에 비해 훨씬 더 나은 성능 수준을 제공한다. 빠른 턴어라운드 대량 생산으로 지원되는 확실한 품질은 완제품의 가치를 향상시켜준다.
1500V 태양 광 인버터와 같은 애플리케이션에서 보조 전원 공급 장치의 MOSFET은 입력 전압, 변압기의 권선비 및 출력 전압에 따라 2500V 범위의 전압을 견뎌야 한다. 높은 항복 전압 MOSFET은 플라이 백, 부스트 및 포워드 컨버터에서 직렬 연결 스위치가 필요하지 않으므로 부품 수와 회로 복잡성을 줄여준다.
“당사의 3300V 및 1700V 개별 SiC MOSFET을 사용하면 설계자가 더 간단한 단일 스위치 기반 토폴로지를 사용할 수 있어서 고객에게 안정적이고 컴팩트하며 저비용의 시스템 생산을 가능하게 한다”라고 GeneSiC Semiconductor의 수석 애플리케이션 담당 인원인 수밋 자데이(Sumit Jadav)가 언급했다.
특징
• 우수한 가격 대비 성능 지수
• 플래그십 QG x RDS (ON) 성능 지수
• 낮은 고유 커패시턴스 및 낮은 게이트 전하
• 모든 온도에서 낮은 전도 손실
• 높은 애벌런치 및 단락 회로 견고성
• 최대 175 °C까지 정상 꺼짐 안정적인 작동을 위한 기준점 임계 전압
적용분야
• 태양광 인버터와 에너지 저장장치
• 산업용 모터(AC 서보)
• 일반적인 인버터
• 산업용 조명
• 피에조 드라이버
• 이온 빔 발생기
이 제품들은 공인된 대리점을 통해 구매할 수 있다. (https://www.genesicsemi.com/sales-support/ 참조)
사양서 및 기타 정보는 www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ 있으며 판매 문의는 sales@genesicsemi.com으로 하면 된다.
