GaN, MOSFET, 전력 다이오드, 양극성 트랜지스터 등 자동차 및 산업용 소자에 관한 생방송 토의
핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아가 9 월 21 일부터 23 일까지 작년에 이어 두 번째로 연례 가상 컨퍼런스인 ‘파워 라이브’를 개최한다. 작년에 진행했던 성공적인 첫 행사에 이어 3일간 치러지는 이번 이벤트에서는 자동차 및 산업용 애플리케이션용 GaN 소자, MOSFET, 전력 다이오드 및 양극성 트랜지스터를 포함하는 전력 전자 소자들과 관련된 다양한 주제를 다룰 예정이다.
이 행사에서는 다음과 같은 내용을 하이라이트로 다루게 된다.
* 완전 전기열 MOSFET 모델
시뮬레이션상에서 소자의 정적 및 동적 특성을 정확하게 표시하여 일반적으로 설계 개발 과정 후반에 인식되는 EMC 문제의 위험을 사전에 줄일 수 있는 넥스페리아의 새로운 전기열 MOSFET 모델 자세히 미리보기
* 650V GaN CCPAK 평가
이중 펄스 테스트를 사용해 GaN CCPAK 소자를 벤치마킹하기 위한 향후 평가 보드의 기능과 이점
* 산업용 애플리케이션에서 전력 MOSFET로 설계
500 A MOSFET가 필요한 이유와 시기, 주요 특성 최적화, 돌입 전류 및 뛰어난 안전동작 영역 (SOA) 관리
* 쇼트키, 실리콘 게르마늄 또는 회복 (PN) 정류기
가장 적합한 전력 다이오드를 선택해 LED 드라이버 또는 솔레노이드 드라이브와 등 자동차 응용 분야에서 효율성과 신뢰성을 극대화하는 방법
전체 의제에는 ▲ 엔지니어를 초청해 전력 부품으로 시스템 설계할 때의 가장 큰 과제들을 논의하는 라이브 프레젠테이션 ▲ 사례 연구 ▲ 넥스페리아 협력 파트너들의 참여 등이 포함된다. 참석자들은 또한 넥스페리아에 근무하는 전력 전문가들이 온라인 행사 전반에 걸쳐 전 세계에 있는 자사 실험실에서 직접 진행하는 최신 기술 데모를 볼 수 있다.
마지막 날인 9월 23일 목요일에는 넥스페리아와 업계 전문가들이 참석하는 GaN 패널 토론회로 ‘파워 라이브’ 행사가 마무리된다. 이 세션은 기술과 시장을 생각하고 그 영향을 논의하는 공개 포럼으로서 참가자의 의견 개진을 환영한다.
넥스페리아의 글로벌 마케팅 책임자인 로비 페르디난두스(Robby Ferdinandus)는 두 번째 ‘파워 라이브’ 행사 개최에 대해 “당사가 작년 첫 행사를 통해 얻은 업계로부터의 피드백이 아주 훌륭했다. 전 세계로부터 등록해 참석했던 700명 이상의 엔지니어들은 대체로 라이브 세션에서 비슷한 생각을 가진 다른 사람들과 함께 공통의 설계 과제를 논의하는 게 아주 유용했다고 언급했다.”고 설명했다.
행사의 전체 일정은 여기(링크)에 있다. GaN 패널에 대한 질문은 등록 페이지의 양식을 사용해 요청할 수 있다. 행사 참가를 위한 등록은 여기(링크)에서 하면 된다.
