로옴의 제4세대 SiC MOSFET, Hitachi Astemo의 전기자동차용 인버터에 채용

탈탄소 사회의 실현을 위해 자동차의 전동화가 가속화되는 상황에서 한층 더 고효율로 소형 경량화된 전동 파워 트레인 시스템의 개발이 추진되고 있다.

특히 EV의 경우, 주행 거리 연장 및 탑재 배터리의 소형화를 위해 구동의 중핵을 담당하는 인버터의 고효율화가 과제로 중요시되어 SiC 파워 소자가 주목받는 추세다.

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2010년에 세계 최초로 SiC MOSFET의 양산을 개시한 로옴은 업계를 리드하는 SiC 파워 소자의 기술 개발을 추진해 왔다. 로옴의 제4세대 SiC MOSFET 및 게이트 드라이버 IC는 최근 일본을 대표하는 자동차 부품 메이커 Hitachi Astemo 의 전기자동차용 인버터에 채용되었다.

그 중에서 최신 제4세대 SiC MOSFET는 단락 내량 시간을 개선하여 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항을 실현한 소자이다. 차량용 인버터에 탑재하는 경우 IGBT 대비 6%의 전비를 개선 (국제 규격 「WLTC 연비 시험」 산출 시)할 수 있는 등 전동차의 주행 거리 연장 등에 크게 기여한다.

Hitachi Astemo는 장기간에 걸쳐 자동차용 모터 및 인버터의 첨단 기술 개발을 추진하고 있으며 보급이 가속화되는 EV용으로도 공급량을 늘리고 있다. 이 회사는 인버터의 한차원 높은 성능 향상을 목표로 메인 인버터 회로부에 처음으로 SiC 파워 소자를 채용했다. 이 인버터는 일본 자동차 메이커를 시작으로 2025년부터 일본 국내외 자동차 메이커에 순차적으로 공급될 예정이다.