GaN 전력 반도체 전문회사인 트랜스폼이 4리드 TO-247 패키지(TO-247-4L)의 두 종류의 새로운 SuperGaN® 소자를 출시했다. 이번에 출시된 TP65H035G4YS 및 TP65H050G4YS FET는 각각 35mΩ 및 50mΩ의 온 저항을 제공하며 켈빈 소스 단자와 함께 사용해 훨씬 더 적은 에너지 손실로 다양한 스위칭 기능을 고객에게 제공한다.
트랜스폼의 안정적인 GaN 온 실리콘 기판 제조 공정으로 탄생한 이 제품들은 원가절감형 고신뢰 실리콘 생산 라인의 대량 생산에 적합하다.
트랜스폼의 4리드 SuperGaN 소자는 4리드 실리콘 및 SiC 솔루션의 오리지널 디자인 인(design-in) 옵션이나 드롭인(drop-in) 대체품으로 사용돼 다양한 데이터 센터, 재생에너지 및 광범위한 산업 애플리케이션에서 1킬로와트 이상의 전원 공급 장치를 지원할 수 있다.
4리드 구성은 사용자에게 스위칭 성능을 추가로 향상할 수 있는 유연성을 제공한다. 하드 스위치 동기식 부스트 컨버터에서 35mΩ SuperGaN 4리드 FET는 비슷한 온 저항을 가진 SiC MOSFET 소자와 비교했을 때 손실이 50㎑에서 15%, 100㎑에서 27% 감소했다.
트랜스폼의 SuperGaN FET는 다음과 같은 차별화된 이점을 제공한다.
· +/- 20V 게이트 임계값과 4V 노이즈 내성으로 업계를 선도하는 견고성
· 소자 주변에 필요한 회로의 양을 줄여 더 용이해지는 설계
· FET는 실리콘 소자에 잘 알려진 일반적인 기성 드라이버와 페어링할 수 있어 더욱 편리한 구동성
TO-247-4L 소자는 다음과 같은 핵심 사양으로 동일한 견고성, 설계성, 구동성을 제공한다.
(표의 내용은 pdf 참조. 다운로드: https://bit.ly/3U7ebpI)
4리드 TO-247 패키지는 실리콘 또는 실리콘 카바이드 시스템에서 설계를 거의 또는 전혀 수정하지 않고도 훨씬 더 큰 전력 시스템 손실 감소를 원하는 설계자와 고객에게 유연성을 제공한다.
구매 정보
50mΩ TP65H050G4YS FET는 현재 구매 가능하지만 35mΩ TP65H035G4YS FET는 샘플링 중이며 2024년 1분기에 출시될 예정이다. 35mΩ 및 50mΩ TO-247-4L FET 샘플 요청은 트랜스폼 영업팀(wwsales@transphormusa.com)으로 문의하면 된다. 각 소자에 대한 데이터시트는 아래 링크에서 확인할 수 있다.
· TP65H035G4YS 데이터시트: https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h035g4ys/
· TP65H050G4YS 데이터시트: https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h050g4ys/
