GaN 전력 반도체 전문회사인 트랜스폼이 4리드 TO-247 패키지(TO-247-4L)의 두 종류의 새로운 SuperGaN® 소자를 출시했다. 이번에 출시된 TP65H035G4YS 및 TP65H050G4YS FET는 각각 35mΩ 및 50mΩ의 온 저항을 제공하며 켈빈 소스 단자와 함께 사용해 훨씬 더 적은 에너지 손실로 다양한 스위칭 기능을 고객에게 제공한다.
트랜스폼의
지속 가능성과 청정에너지라는 메가트랜드가 지구의 녹색 미래를 향한 우리의 접근 방법에 영향을 미치는 가운데 풍력과 태양열 등 재생에너지 기술이 연구 중점 분야를 주도하고 있다. 태양열 기술에서 페로브스카이트 태양 전지(PSC)는 15년 동안 많은 인기를 얻고 있다.
그러나 실리콘 태양 전지가 주도하는 분야에서 상대적으로
다양한 전자 애플리케이션과 고객들을 지원하는 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 스웨덴 노르셰핑(Norrköping)에 위치한 자사 시설에서 차세대 전력 디바이스로 프로토타입의 200mm(8인치) 실리콘 카바이드(SiC: Silicon-Carbide) 벌크 웨이퍼를 생산했다.
실리콘 카바이드(SiC)는 화합물 반도체 소재로 전기 모빌리티(e-Mobility) 및 산업용 프로세스에서 빠르게 성장 중인 핵심 전력 애플리케이션에서
높은 안정성의 고성능 질화갈륨(GaN) 전력 변환 제품을 공급하는 세계적 기업 트랜스폼과 전력밀도 분야의 선두주자인 실라나 세미컨덕터가 세계적인 수준의 GaN 전원 어댑터 레퍼런스 설계를 발표했다.
이 솔루션은 개방형 프레임의 65W USB-C 전력공급(PD) 충전기로 트랜스폼의 SuperGaN® Gen IV 플랫폼과 실라나의 독자적 액티브 클램프 플라이백(Active Clamp
자이스 크로스빔 레이저, 펨토세컨드 레이저와 갈륨이온 FIB 및 전계방사형(FE) SEM을 단일 툴에 통합
자이스(ZEISS)가 반도체 패키지 작업의 패키지 불량 분석(FA) 및 공정 최적화 속도를 종전보다 수십 배 더 빠르게 향상시키는 새로운 자이스 크로스빔 레이저(ZEISS Crossbeam Laser)를 출시했다.
이 제품은 자이스 FIB-SEM(focused ion beam-scanning electron microscope) 솔루션의
2008년 이후 처음으로 매출액 100억 달러 돌파
SEMI 실리콘 제조업체 그룹(SMG, Silicon Manufacturers Group)은 연말 조사를 통해 2018년 실리콘 웨이퍼 면적 출하량은 127억 3200만 제곱 인치(MSI)로 2017년의 118억 천만 제곱 인치에 비해 8% 증가하였으며, 2018년 매출액은 2017년의 87억 7000만 달러에서 약 31% 증가한
광범위한 전류 및 전압 범위에서 이중, 단상 브리지 및 단일 스위치 토폴로지 제공
비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology)가 ThunderFET® 전력 MOSFET 및 표준 FRED Pt® 및 트렌치 MOS 배리어 쇼트키(TMBS®) 다이오드 등 7 개의 새로운 소자가 적용된 SOT-227 패키지의 전력 모듈 포트폴리오를 확장했다고 밝혔다. 비쉐이
