차세대 GaNFast™ 질화갈륨(GaN) 및 GeneSiC™ 탄화규소(SiC) 전력 반도체 분야의 전문업체인 Navitas Semiconductor가 D2PAK-7L(TO-263-7) 및 TOLL(TO-Leadless) 표면 실장(SMT) 패키지의 3세대 자동차 인증 SiC MOSFET 포트폴리오를 출시했다.
Navitas의 독점적인 ‘ 트렌치 지원 플래너 ‘ 기술은 온도에 따라 업계 최고의 성능을 제공하고 전기 자동차(EV) 충전, 견인 및 DC-DC 변환을 위한 고속, 냉각 작동을 제공한다. 기존 소자보다 케이스 온도가 최대 25°C 낮은 Gen-3 Fast SiC는 높은 스트레스 EV 환경에서 기존의 SiC 제품보다 최대 3배 더 긴 작동 수명을 제공한다.
Gen-3 Fast MOSFET은 가장 빠른 스위칭 속도, 가장 높은 효율을 위해 최적화되었으며 AC 압축기, 캐빈 히터, DC-DC 컨버터, 온보드 충전기(OBC)와 같은 EV 애플리케이션에서 전력 밀도를 높였다. Navitas의 전담 EV 설계 센터는 최대 22kW, 3.5kW/리터 전력 밀도, 95.5% 이상의 효율을 갖춘 최첨단 OBC 시스템 솔루션을 성공적으로 시연했다 .
400V 정격 EV 배터리 아키텍처는 20~55mΩ의 R DS(ON) 정격을 갖춘 새로운 650V Gen-3 Fast MOSFET으로 제공된다. 1,200V는 18~135mΩ 범위이며 800V 시스템에 최적화되어 있다.
650V와 1,200V 범위는 모두 기존 SMT D2PAK-7L(TO-263-7) 패키지에서 AEC Q101 인증을 받았다. 400V EV의 경우 650V 정격 표면 실장 TOLL 패키지는 접합부-케이스 열 저항(R TH,JC )을 9% 줄여준다. 그뿐 아니라 PCB 풋프린트를 30% 더 작게 하고 높이를 50% 낮추며 D2PAK-7L 패키지보다 크기가 60% 더 작다. 이를 통해 매우 높은 전력 밀도 솔루션이 가능해지며 단 2nH의 최소 패키지 인덕턴스는 뛰어난 고속 스위칭 성능과 가장 낮은 동적 패키지 손실을 보장하게 된다.
D2PAK-7L 및 TOLL 표면 실장 패키지의 자동차 인증 650V 및 1200V G3F SiC MOSFET 제품군은 즉시 구매가 가능하다. 자세한 내용은 info@navitassemi.com 으로 문의하면 된다.
Llew Vaughan-Edmunds, 제품 관리 및 마케팅 부문 수석 이사
