NoMIS Power의 SiC 기술은 민첩한 팹리스 모델 및 맞춤형 서비스 지원과 결합된 새로운 설계 및 패키징 아키텍처를 특징으로 한다. 이 회사가 앞선 SiC 기술을 이용해 최근 보다 견고한 고신뢰도의 기능의 1200 V SiC MOSFET 제품군을 내놓았다.
사용자 정의 가능한 성능을 제공하는 이 제품들은 1200V 노드에 중점을 두고 EV 온보드 충전기, EV 고속 충전소, 모터 드라이브, 태양광 PV 인버터, 에너지 저장 시스템 및 무접점 전력 컨트롤러 등 전력 전자 응용 제품에 적합하다.
보다 신뢰할 수 있는 게이트 산화물 공정 및 100% 애벌랜치 테스트를 갖춘 최첨단 SiC MOSFET 기술이 적용된 이 제품들은 시스템 효율성을 높이고 냉각 요구 사항을 줄이며 전력 밀도를 높여준다. 전체 시스템 신뢰성을 높이기 위해 더 높은 시스템 스위칭 주파수를 제공하는 것도 특징이다.
다양한 패키징 옵션으로 제공되는 NoMIS의 SiC MOSFET은 전력 전자 엔지니어에게 유연성을 제공한다. 이 제품은 Digikey와 본사를 통해 구입이 가능하다.
