GaN(질화갈륨) 기술 혁신을 도모하는 Finwave Semiconductor가 Fine Structure Ventures, Engine Ventures, Safar Partners가 주도하고 기술 파트너인 GlobalFoundries가 전략적으로 참여하는 820만 달러 규모의 신규 브릿지 투자 라운드를 발표했다.
이번 투자는 Finwave가 기술 중심의 혁신 기업에서 실질적인 솔루션을 제공할 준비가 된 제품 중심 기업으로 전환하는 과정에서 투자자와 업계 리더들이 Finwave의 독창적인 GaN-on-Si 기술의 시장 잠재력에 대한 확신을 보여주었다는 점에서 의미가 있다.
Finwave의 CEO인 피에르-이브 르사이셰르 박사는 “우리 기술의 상업적 잠재력에 대한 믿음을 공유하는 투자자들의 지원에 큰 힘을 얻었다”라며 “이번 투자 유치는 당사의 독점적인 GaN-on-Si 기술을 뒷받침하는 수 년 간에 걸친 엔지니어링 및 혁신을 입증하는 동시에 개발 단계에서 차별화된 고성능 제품 제공으로 나아가는 데 필요한 자원을 제공한다. 이는 단순한 투자 유치를 넘어 미래의 방향에 대한 명확한 지지이자 업계가 당사의 지향하는 방향에 대한 믿음을 강력하게 보여주는 신호이다”라고 언급했다.
Finwave는 이 투자를 통해 수익 창출을 가속화하고 제품 포트폴리오를 확장할 예정이다. 특히 고전력 RF 스위치, 통신 인프라용 전력 증폭기, 모바일 기기용 전력 증폭기 등을 중심으로 한 GaN-on-Si 기술 개발을 계속할 예정이다.
GaN은 통신과 지속가능성의 미래를 이끌어갈 가장 유망한 반도체 기술 중 하나로 빠르게 부상하고 있다. Finwave의 GaN-on-Si 기술은 GaN 솔루션의 탁월한 성능을 향상하는 동시에 대량 생산 CMOS 실리콘 웨이퍼의 비용 및 규모 이점을 활용한다.
Finwave의 제품 포트폴리오에는 선도적인 RF 유통업체인 RFMW와의 파트너십을 통해 현재 전 세계적으로 공급 가능한 고전력 RF 스위치와 향후 출시될 RF 전력 증폭기가 포함된다.
