자동차 산업이 내연 기관(ICE)에서 완전 전기의 미래로 이동함에 따라 자동차 업체들의 질화갈륨(GaN) 반도체 채택이 늘어나고 있다.
실리콘 FET보다 성능이 훨씬 뛰어나고 실리콘 카바이드보다 저렴한 비용 기반을 제공하는 GaN 트랜지스터는 기존 재료보다 물리적으로 우수하다. 고성능 패키징을 갖춘 매우 안정적인 GaN 트랜지스터에는 D 모드와 E 모드의 두 가지 기술이 있다.
VisIC는 더 높은 게이트 드라이브 안전 마진과 더 높은 게이트 드라이브 잡음 내성으로 인해 궁극적으로 고출력 자동차 사용 사례를 가능하게 하는 것으로 입증된 유일한 기술인 D 모드 기술의 얼리 어답터이자 후원자였다.
VisIC의 D3GaN(다이렉트 드라이브 d-모드) 솔루션은 GaN 전력 장치의 잠재력을 최대한 활용하도록 설계되었다. 캐스케이드 토폴로지보다 스위칭 성능이 우수하고 강화 모드 장치보다 견고성이 우수한 것이 특징이다.
VisIC는 자동차 인버터에 사용되는 최초의 GaN 기반 트랜지스터를 생산했으며 현재 여러 OEM 및 Tier 1과 함께 시리즈 생산을 위한 개발 및 평가 단계에 있다.
Gallium Nitride Semiconductor manufacturer – VisIC Technologies – full version
VisIC의 제품군은 여기에 소개되어 있다.
