반도체 소재 및 기술 라이선싱 회사인 아토메라(Atomera)가 RF 및 전력 반도체 애플리케이션용 GaN 소자 모델링을 발전시키기 위해 EDA 기업인 시놉시스(Synopsys)와 협력을 확대한다.
이번 협력은 시놉시스의 센타우러스 TCAD와 아토메라의 MSTcad 툴셋을 중심으로 오랫동안 이어져 온 양사 간의 관계를 기반으로 한다. 이를 계기로 아토메라는 더 높은 품질의 GaN 솔루션을 시장에 출시하기 위해 GaN 워크플로우로 협력 범위를 확장한다.
아토메라의 미어스 실리콘 기술(MST)은 산소와 같은 비반도체 층을 반도체 소재에 삽입하여 에피택셜 성장을 유지하는 박막 기술이다.
이러한 층은 확산 차단, 가변성, 이동도, 게이트 누설 전류, 신뢰성 등 다양한 방식으로 반도체의 기본 특성 및 소자 특성을 개선하거나 향상시키는 데 사용될 수 있다.
이번 협력을 통해 아토메라는 시놉시스의 센타우러스 TCAD 도구를 사용하여 TCAD 워크플로우를 위한 GaN 교정 방법론을 개발하고, GaN 소자용 마케팅 자료 및 교정된 TCAD 데크를 제작하며, 시놉시스에 제품 피드백을 제공하게 되었다.
한편 아토메라는 그동안 수년 간의 협력을 통해 시놉시스의 센타우러스 TCAD 환경에서 아토메라의 MST 기술을 모델링할 수 있도록 지원해 왔다. 이러한 협력을 통해 고객과 파트너들은 아토메라의 시놉시스의 공정 및 소자 시뮬레이션 도구를 사용하여 MST의 물리적 및 전기적 효과를 평가할 수 있게 되었다.
