반도체 소재 및 기술 라이선싱 회사인 아토메라(Atomera)가 RF 및 전력 반도체 애플리케이션용 GaN 소자 모델링을 발전시키기 위해 EDA 기업인 시놉시스(Synopsys)와 협력을 확대한다.
이번 협력은 시놉시스의 센타우러스 TCAD와 아토메라의 MSTcad 툴셋을 중심으로 오랫동안 이어져 온 양사 간의 관계를 기반으로 한다. 이를 계기로 아토메라는 더 높은 품질의 GaN 솔루션을 시장에 출시하기 위해 GaN 워크플로우로 협력 범위를 확장한다.
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아토메라의 미어스 실리콘 기술(MST)은 산소와 같은 비반도체 층을 반도체 소재에 삽입하여 에피택셜 성장을 유지하는 박막 기술이다.
이러한 층은 확산 차단, 가변성, 이동도, 게이트 누설 전류, 신뢰성 등 다양한 방식으로 반도체의 기본 특성 및 소자 특성을 개선하거나 향상시키는 데 사용될 수 있다.
이번 협력을 통해 아토메라는 시놉시스의 센타우러스 TCAD 도구를 사용하여 TCAD 워크플로우를 위한 GaN 교정 방법론을 개발하고, GaN 소자용 마케팅 자료 및 교정된 TCAD 데크를 제작하며, 시놉시스에 제품 피드백을 제공하게 되었다.
한편 아토메라는 그동안 수년 간의 협력을 통해 시놉시스의 센타우러스 TCAD 환경에서 아토메라의 MST 기술을 모델링할 수 있도록 지원해 왔다. 이러한 협력을 통해 고객과 파트너들은 아토메라의 시놉시스의 공정 및 소자 시뮬레이션 도구를 사용하여 MST의 물리적 및 전기적 효과를 평가할 수 있게 되었다.
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