리처드슨 일렉트로닉스가 첨단 실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체 기술 설계업체인 NoMIS Power와의 새로운 글로벌 전략적 파트너십을 발표했다.
이번 협력을 통해 리처드슨 일렉트로닉스는 NoMIS Power의 견고하고 신뢰할 수 있으며 맞춤화 가능한 SiC 기술을 활용해 차세대 전력 솔루션 포트폴리오를 확장하게 되었다. 이번 파트너십은 1.2 kV에서 10 kV 전역의 타깃 기능을 추가하며, 특히 3.3 kV 이상의 중전압 및 고전압 SiC 솔루션에 중점을 두고 전력 변환 응용을 지원한다.
이번 파트너십은 배터리 에너지 저장 시스템(BESS), 재생 에너지 전환, AI 데이터 센터 전력 인프라, 고전압 직류(HVDC) 인터페이스, 고체 변압기, 철도 및 중장비 운송, 산업 주행, 항공우주 및 방위 전력 시스템, 해양 동력 및 기타 미션 크리티컬 전철화 플랫폼 등 주요 성장 시장에서 고성능 SiC 기술의 도입을 가속화할 것으로 기대된다.
고전압 시스템을 개발하는 고객들에게 이번 협력은 리처드슨 일렉트리닉스가 기존 실리콘 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 솔루션에서 더 효율적인 SiC 기반 아키텍처로의 전환을 지원하는 역량을 강화하게 되었다.
이러한 응용 분야에서 SiC는 낮은 스위칭 손실, 더 높은 스위칭 주파수, 향상된 열 성능, 더 높은 전력 밀도, 더 컴팩트한 시스템 설계를 가능하게 한다.
