실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체 전문업체인 NoMIS Power가 고전압 HVDC 서브모듈용 3.3 kV SiC MOSFET을 내놓는다. 멀티포트 멀티터미널 HVDC(MT-HVDC) 컨버터의 모듈러 밸브용 플러그 앤 플레이 서브모듈로 제공되는 이 제품은 곧 출시될 25 mΩ 3.3 kV 소자를 포함한 NoMIS Power의 3.3 kV SiC MOSFET 포트폴리오에 추가된다.
NoMIS Power가 설계한 3.3 kV SiC MOSFET과 전원 모듈은 미국에서 여러 기관들이 공동으로 추진 중인 DC-GRIDS 프로그램의 일환이다. 전철화, 데이터 센터 수요 급증, 해상 풍력 등 자원 통합을 지원하기 위해 미국 송전 용량을 크게 확장할 혁신적인 HVDC 기술을 목표로 하는 이 프로젝트에 NoMis Power도 참여한다.
MT-HVDC 변환기는 장거리 대용량 전력 전송의 중추이며, 대용량 데이터 센터 전력 전달, 지역 간 그리드 링크, 해상 풍력 상호 연결의 선도적 아키텍처이다. 이 아키텍처는 이전에 출시된 NoMIS N3PT080MP330(3.3 kV, 80 mΩ, 34 A)를 기반으로 한 NoMIS의 확장 중인 3.3 kV 로드맵을 직접 활용하도록 설계되었으며 곧 출시될 50 mΩ 및 25 mΩ 3.3 kV MOSFET을 통해 제품군을 완성할 예정이다.
25 mΩ 3.3 kV 소자는 가능한 한 낮은 온저항이 전도 손실 감소, 변환기 효율 향상, MT-HVDC 밸브 전류 수준에서의 열 여유 개선으로 직접적으로 이어지는 HVDC 서브모듈 응용제품에 적용될 것으로 보인다.
NoMIS Power는 프로그램의 SiC 소자 수준 패키징을 주도하며 모든 패키징 작업을 조정하고 NPC-PEBB 조립을 지원한다. NoMIS 엔지니어들은 또한 NPC-PEBB 조립 및 시연에 사용되는 SiC 소자 및 전력 모듈의 전기 테스트, 스크리닝 및 성능 특성 분석을 주도하게 된다.
NPC-PEBB 접근법은 기존 Si IGBT 기반 하프브리지 서브레이션 모듈에 비해 3레벨 6.6 kV 출력(2레벨 4.5 kV 대 2레벨), 완전한 DC 고장 전류 차단, 첨단 다단계 공간 벡터 변조 전략을 통한 서브모듈 커패시터 크기 60% 감소, 그리고 밸브와 컨버터 전반의 효율성, 전력 밀도 및 신뢰성 향상 등의 특징은 지닌다.
