전자 설계 및 제조 서비스 분야 전문업체인 USI가 차세대 전력 솔루션용 첨단 전력 반도체 패키징 기술을 내놓았다. USI는 혁신적인 기판 및 모듈 통합 역량을 활용해 다층 ABF 기판에 실리콘 카바이드(SiC) 다이를 성공적으로 내장하고 업계 표준 전력 패키지 내에 세라믹 기판 절연과 와이어 본드리스 아키텍처를 통합하기 위해 단면 구리 노출(SSC) 모듈 패키징 기술을 도입했다.
이 혁신적인 설계는 패키지 자체에 내장된 전기 절연 기능을 제공하는 동시에 낮은 기생 인덕턴스와 최소한의 전도 저항을 구현함으로써 내부 절연 전력 개별 소자 분야에서 상당한 진전을 이루었다.
고효율, 우수한 열 성능 및 향상된 전력 밀도에 대한 업계의 증가하는 요구를 충족하도록 설계된 USI의 칩 내장형 모듈 패키징 기술은 기존 패키징 방식에 비해 전도 손실을 획기적으로 줄이고 발열을 낮추며 장기적인 작동 신뢰성을 향상시킨다.
세라믹 기판을 통합함으로써 패키지 본체는 추가적인 절연 구조 없이도 안정적인 전기 절연을 제공하는 것도 특징이다. 또한, 와이어 본딩이 없는 아키텍처는 슬림한 패키지 크기 내에 더 큰 칩을 집적화할 수 있도록 하여 전력 밀도를 더욱 높이고 더욱 소형화된 시스템 설계를 지원한다.
USI는 SiC/GaN 칩 내장, 세라믹 기판 절연, 와이어 본딩이 필요 없는 아키텍처를 업계 표준 전력 패키지에 통합함으로써, 소형화, 고효율, 고신뢰성을 갖춘 차세대 전력 솔루션을 구현했다. 낮은 기생 인덕턴스, 최소한의 온 저항, 그리고 뛰어난 열 성능의 조합이 에너지 변환 효율과 시스템 신뢰성을 크게 향상시킨다.
이러한 혁신은 자동차 및 산업 분야가 고효율 차세대 전동화 플랫폼으로 전환하는 데 도움이 될 것으로 보인다.
