프라운호퍼 IAF 연구진이 InGaAs-on-Si HEMT 기술을 기반으로 하는 광대역 분산 증폭기 칩 개발에 성공했다. 4GHz에서 420GHz 사이의 주파수 대역에서 11±2dB의 이득을 달성하는 이 칩은 데이터 센터, 측정 시스템 및 센서에 적합하다.
최신 데이터 센터, 고정밀 측정 시스템 및 고해상도 레이더 센서는 낮은 잡음과 높은 출력 전력을 모두 갖춘 초광대역 증폭기 칩에 의존한다. 프라운호퍼 응용고체물리학 연구소(IAF)의 연구원들은 이러한 분야에서 탁월한 성능을 발휘하는 단일 칩 마이크로파 집적 회로(MMIC)를 개발했다.
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이 분산 증폭기(DA)는 4~420GHz 주파수 범위에서 11±2dB의 이득을 달성했다. 이는 게이트 길이가 20nm인 InGaAs-on-Si 소재 시스템으로 제작된 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)를 기반으로 한다. 이전 세대의 칩은 게이트 길이가 35nm인 GaAs 기판에서 제작되었었다.
한편 프라운호퍼 IAF는 고주파 전자 분야의 다른 새로운 개발 사항들과 함께 이 칩을 2026년 10월 4일부터 9일까지 런던에서 열리는 유럽 마이크로웨이브 위크(European Microwave Week)에서 발표할 예정이다.
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