Cambridge GaN Devices(CDG)의 GaN 트랜지스터인 ICeGaN 씨리즈는 업계 최초로 특수 게이트 드라이버, 구동 회로 또는 고유한 게이트 전압 클램핑 메커니즘 없이 실리콘 MOSFET처럼 동작할 수 있는 향상 모드 소자이다. 이 제품들은 캐스케이드 또는 다이렉트 드라이브 구성에서 GaN과 Si MOSFET을 결합할 필요 없는 저프로파일/저인덕턴스 패키지에 담긴 단일 칩 소자들이다.
사용자들은 CGD의 GaN 소자를 최대 20~22V의 표준 게이트 드라이버로 작동시킬 수 있다. 내장된 밀러 클램프와 약 3V로 설정된 임계 전압으로 인해 소자가 꺼져 있어야 할 때 음의 게이트 전압을 인가할 필요가 없는 것이 특징이다.
전류 감지와 같은 여러 추가 통합 기능을 제공하는 CGD의 제품들은 사용자가 감지 저항과 같은 외부 부품을 절약하게 해준다. CGD의 GaN을 접지에 연결하면 소자의 냉각 현상을 크게 개선할 수 있어 소형 부품 사용이 가능하고 시스템 온도를 현저히 낮출 수 있게 된다.
PCB를 재설계할 필요 없이 ICeGaN® 소자를 빠르게 테스트할 수 있는 애플리케이션 인터페이스 보드(AIB)는 기존 PCB에서 ICeGaN®을 평가할 수 있는 가장 빠른 방법을 제공한다. 이 APIB는 PCB 상단에 있는 ICeGaN® 소자의 각 핀/신호를 PCB 하단에 있는 다른 부품들의 해당 핀/신호에 매핑하는 어댑터 PCB이며 VDD에 필요한 디커플링 커패시터도 제공한다.
이에 따라 적절한 AIB가 장착된 ICeGaN® 소자는 일반적인 납땜 기술을 사용해 원래 다른 MOSFET/HEMT용으로 설계된 수신 PCB에 쉽게 장착할 수 있다.
