신뢰성 높은 고성능 질화갈륨(GaN) 전력 변환 제품을 공급하는 선도적인 글로벌 기업 트랜스폼(Transphorm Inc.)이 2021년 12월에 100만 개 이상의 SuperGaN® 4세대 FET를 출하했다고 발표했다.
이러한 성과는 트랜스폼이 앞서 언급한 적격 패키지용 고용량 사양과 증가하는 시장 점유율에 부응하는 역량을 증명한다. 또 2021년 하반기에는 2021년 상반기보다 출하량이 3배 이상 증가했다. 특히 트랜스폼이 꾸준하게 생태계를 확장해 온 것을 보여주는 FET 제품은 아시아태평양(APAC) 지역의 신규 및 기존 고객이 제조하는 45W~300W 범위의 전원 어댑터 및 고속 충전기 애플리케이션에 탑재된다.
소형 전력 변환 애플리케이션용 SuperGaN 제품군은 현재 3종의 650V 소자(480mΩ FET, 300mΩ FET 및 150mΩ FET)를 포함한다. 이들은 표준 PQFN 5×6 및 8×8 패키지로 제공되며 150°C 기준 JEDEC 인증 표준에 부합한다.
프리밋 파리크(Primit Parikh) 트랜스폼 사장 겸 공동 설립자는 “공급업체 및 고객과의 협력으로 월 100만 개라는 대량 제조 목표를 달성하게 돼 매우 기쁘다. 이는 빠르게 성장하는 고속 충전기 및 전원 어댑터 부문의 시장 점유율 증가와 고성능, 고신뢰성 GaN 장치를 대규모로 재생산할 수 있는 트랜스폼의 역량을 증명한다“며 “저전력 및 멀티킬로와트 고전력 애플리케이션 모두에서 트랜스폼이 달성하고 있는 성과는 기술적인 리더십을 보여주기에 충분하다. 이는 지난 분기에 4500만달러 이상의 자금 조달과 더불어 2022년에도 계속 확장하고 성장하기 위한 강력하고 긍정적인 모멘텀의 역할을 할 것“이라고 덧붙였다.
트랜스폼의 전체 제품 포트폴리오는 다양한 패키지의 650V 및 900V 소자를 포함한다. 이러한 포트폴리오의 기술적 이점은 주로 회사의 수직적 통합으로 달성된다. 트랜스폼은 이처럼 GaN 반도체 산업에서 흔치 않은 운영 모델을 통해 소자 설계, 에피택셜 웨이퍼(epitaxial wafer, 출발 물질) 및 제조 공정을 관리한다. 그 결과 현재 가장 광범위한 전력 애플리케이션(전원 어댑터, 데이터 센터 및 게임 PSU, 암호화 채굴 장비, 자동차 변환기, 재생 가능 인버터 등) 범위에서 최대의 전력 전환 요건(45W~10kW 이상)을 지원하고 있다.
SuperGaN 소자는 다른 GaN 반도체(e-모드 및 IC GaN)과 비교할 때 다음과 같은 특징을 갖고 있다.
· 더 작아진 다이(die), 우수한 성능: 데이터에 따르면 SuperGaN 플랫폼은 낮은 온저항 소자보다 효율성이 높다.
· 설계 및 구동 용이성: SuperGaN 플랫폼의 특허받은 아키텍처는 범용 인터페이스를 탑재한 통합 실리콘 FET를 포함하며 과도한 양의 주변 회로가 필요치 않다. 이 인터페이스 덕분에 널리 사용되는 기성 드라이버 통합 컨트롤러 및 준공진형 플라이백(QRF), 능동 클램프 플라이백(ACF)과 같은 고효율 전원 어댑터 토폴로지의 요건을 맞출 수 있다.
· 동급 최고의 품질과 안정성: 300억 시간 이상의 작동을 보장하는 트랜스폼의 소자는 현장 FIT(고장 비율)이 0.3 이하이다. 이는 통계적으로 10억 현장 작업 시간 동안 0.3개 미만의 소자가 고장을 일으킨다는 의미와 같다.
