병합된 PiN 쇼트키 구조로 최대의 견고성과 효율성을 제공
핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아(Nexperia)가 초고성능, 저손실 및 고효율이 필요한 전력 응용 제품을 위해 설계된 650V 실리콘 카바이드 (SiC) 쇼트키 다이오드를 출시했다. 10A, 650V SiC 쇼트키 다이오드는 고전압 및 고전류 응용 제품의 문제를 해결하는 산업 등급용 소자이다.
이 제품은 스위치 모드 전원 공급 장치, AC-DC 및 DC-DC 컨버터, 배터리 충전 인프라, 무정전 전원 공급 장치 및 태양광 인버터 등이 보다 지속 가능하게 운용되도록 작동한다. 예를 들어 넥스페리아의 PSC1065K SiC 쇼트키 다이오드를 사용해 설계된 전원 공급 장치를 갖춘 데이터 센터는 실리콘 기반 솔루션만 사용하는 데이터 센터보다 엄격한 에너지 효율 표준을 충족시킨다.
PSC1065K는 어떠한 온도에서도 작동하는 정전식 스위칭 및 제로 리커버리 동작으로 뛰어난 성능 지수(QC x VF)를 실현하는 최첨단 성능을 발휘한다. 뛰어난 스위칭 성능은 전류 및 스위칭 속도 변화에서도 매우 안정적으로 작동한다.
PSC1065K의 병합된 PiN 쇼트키(MPS) 구조는 서지 전류에 대해 뛰어난 견고성과 같은 이점도 제공하므로 별도의 추가 보호 회로망을 필요로 하지 않는다. 이러한 기능은 시스템 복잡성을 크게 줄여 줌으로써 하드웨어 설계자가 견고한 고전력 애플리케이션에서 더 작은 폼 팩터로 더 높은 효율성을 달성하도록 해준다. 제품 설계자들은 다양한 반도체 기술 분야에서 고품질 제품을 공급하는 넥스페리아의 입증된 명성을 통해 더욱 안심할 수 있다.
SiC 쇼트키 다이오드는 Real-2-Pin(R2P) TO-220-2 쓰루홀 전력 플라스틱 패키지로 캡슐화되어 있다. 최대 175°C의 온도에서 고전압 응용 제품의 신뢰성을 향상시키는 2핀 구성의 쓰루홀(TO-247-2) 패키징과 표면 실장형(DPAK R2P 및 D2PAK R2P) 패키징도 옵션으로 선택이 가능하다.
넥스페리아의 SiC 제품 그룹 수석 이사인 카트린 퓌를(Katrin Feurle)은 “점점 더 에너지에 대한 의식이 높아지는 세상에서 넥스페리아는 대용량, 고효율 애플리케이션에 대한 수요가 크게 증가함에 따라 고객사들에게 더 많은 선택권을 제공하고 있다”고 말했다.
넥스페리아는 향후에도 6-20A 범위의 전류값을 가지는 650V 및 1200V 전압의 자동차 등급 부품을 포함한 SiC 다이오드 포트폴리오를 지속적으로 강화할 계획이다.
