BAE Systems의 FAST Labs™ 연구 개발 및 생산팀이 미국 국방고등연구계획국(DARPA)의 소자 규모 전자 장치 열 제거 기술(THREADS: Technologies for Heat Removal in Electronics at the Device Scale ) 프로그램 1단계를 성공적으로 완료한 데 이어 2단계로 진입하기 위한 지속적인 지원을 승인받았다.
THREADS 프로그램은 고성능 무선 주파수(RF) 전자 장치, 특히 질화갈륨(GaN) 소자에서 발생하는 온도 제한을 극복하는 것을 목표로 한다. 이러한 제한을 극복하면 핵심 군사 시스템의 출력과 통신 범위를 크게 향상시킬 수 있게 된다.
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이 프로그램을 통해 개발된 성공적인 열 관리 기술은 RF 시스템의 통신 범위를 거의 세 배로 늘려 군인들의 안전과 교전 거리를 향상시키게 된다.
BAE Systems는 첨단 GaN 및 갈륨비소 집적 회로 개발 및 제조 분야에서 축적된 전문성을 활용하여 뉴햄프셔주 나슈아에 위치한 자사의 마이크로일렉트로닉스 센터(MEC)에서 THREADS 프로젝트를 진행중이다. MEC는 DoW(미국 국방부)의 1A 등급 신뢰 공급업체이다.
이 핵심 기술의 개발을 가속화하기 위해 BAE Systems는 THREADS 프로그램에서 Modern Microsystems, 펜실베이니아 주립대학교, 스탠퍼드 대학교, 노터데임 대학교, 댈러스에 있는 텍사스 대학교와의 협력을 강화하고 있다.
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