xEV 시스템의 고전압화에 대응하는 SiC 쇼트키 배리어 다이오드

최근 보급이 가속화되는 xEV에 탑재되는 OBC 등에는 파워 반도체가 꼭 필요하기 때문에 발열이 적고 고속 스위칭 성능과 고내압 성능을 겸비한 SiC SBD의 수요가 높아지고 있다. 특히 어플리케이션의 생산성 향상을 위해, 마운터로 실장 가능한 소형 표면 실장 (SMD) 패키지 제품에 대한 요구가 늘어나는

“차세대 전기 자동차용 고성능 실리콘 카바이드 웨이퍼 기술이 진보한다”

프랑스의 웨이퍼 전문 생산업체인 Soitec이 Resonac 기판과 에피택시 공정을 사용하여 200mm(8인치) SmartSiC™ 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼를 개발한다. 이를 통해 Soitec은 일본 및 기타 국제 시장에서 Soitec의 고수율 실리콘 카바이드 기술을 구축하게 된다. SmartSiC™ 실리콘 카바이드는 전기 이동성 및 산업 공정을 위한 고성장 전력

GaN-on-SiC 기술 개발 프로젝트 진행된다

MACOM Technology Solutions가 무선 주파수(RF) 및 마이크로파 애플리케이션을 위한 실리콘 카바이드(SiC) 공정 기술에 질화갈륨(GaN)을 구축하는 개발 프로젝트를 주도한다. 미국 국방부(DoD)를 통한 CHIPS 및 과학법에 따라 자금이 지원되는 이 프로젝트는 고전압 및 밀리미터파(mmW) 주파수에서 효율적으로 작동하는 GaN 기반 소재 및 모노리식 마이크로파 집적 회로(MMIC)를

Navitas, GaN 및 SiC로 구동되는 세계 최초 8.5kW AI 데이터 센터 전원 공급 장치 출시

전력 반도체 기업이자 질화갈륨(GaN) 전력 IC 및 탄화규소(SiC) 기술 분야의 전문업체인 Navitas Semiconductor 가 차세대 AI 및 하이퍼스케일 데이터 센터를 위해 98% 효율을 달성하는 GaN 및 SiC 기술로 구동되는 세계 최초의 8.5kW 전원 공급 장치(PSU)를 발표했다. AI로 최적화된 54V 출력 PSU는 Open Compute Project(OCP) 및 Open Rack

1.6T 트랜시버용 고속 포토다이오드

Coherent의 고속 인듐인화물(InP) 포토다이오드는 200Gb/s PAM4 광 레인을 갖춘 차세대 800G 및 1.6T 트랜시버에서 사용하도록 설계되었다. 통합 렌즈가 있는 싱글릿 및 1x4 어레이 구성으로 제공되는 이 소자는 효율적인 광 결합을 제공하고 모든 주요 4채널 및 8채널 트랜스임피던스 증폭기(TIA)와 호환된다. 이 소자는 900nm에서 1650nm까지의

Lyft and Mobileye team up to enable autonomous mobility at scale

Lyft, one of the largest transportation networks in North America, and Mobileye, a specialist provider of self-driving technology and advanced driver assistance systems (ADAS), announced plans for an alliance that aims to facilitate the widespread commercialization of autonomous vehicles' services by industry-leading

Ambiq and Edge Impulse enable low-power scalable AI

Ambiq, a specialist developer of ultra-low-power semiconductors and solutions enabling Edge AI, joins the Edge Impulse ecosystem to bring scalable AI model deployment on the Apollo4 Plus.  AI developers can harness the power advantages of Ambiq’s 4th generation Apollo System-on-Chip to deploy sophisticated

중국의 대량 생산으로 인한 SiC 가격 폭락

실리콘 카바이드(SiC)의 두 가지 주요 응용 분야인 전기 자동차(EV)와 태양광 패널에서 우월적 위치를 차지하던 중국이 반도체 자립 정책에 따라 이 분야의 생산을 늘리고 있다. 이로 인해 그동한 기판 부족 현상으로 호황을 누리던 실리콘 바이드 업체들이 가격 하락에 직면하게 되었다. 중국 현지 소식통에

미쓰비시 전기, xEV용 SiC MOSFET 베어 다이 샘플 출하

지난 3월에 자동차용 최신 전사 성형 전력 모듈(T-PM)로 가능해진 소형 xEV용 J3 시리즈 전력 반도체의 샘플을 출하하기 시작한 미쓰비시 전기가 전기 자동차(EV), 플러그인 하이브리드 자동차(PHEV) 및 기타 전기 자동차(xEV)의 구동 모터 인버터에 사용되는 실리콘 카바이드(SiC) 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 베어