Author: 이철민 기자

파워일렉트로닉스 매거진의 뉴스 에디터 입니다. 전력전자 및 배터리, 모빌리티 관련 이야기를 풀어가고 있습니다.

미쓰비시, 내달에 SiC 전력 반도체 대량 생산 개시

by 이철민 기자 -

미쓰비시 전기가 구마모토현 기쿠치시에 새로운 SiC 전력 반도체 공장을 완공하고 생산 준비에 박차를 가하고 있다. 총 4만 2천 제곱미터 규모의 6층 건물인 이 시설에는 총 6억 8천만 달러가 투자되었으며 오는 11월부터 대량생산에 들어간다. 이 시설에서는 주로 8인치 SiC 웨이퍼의 전공정을 담당하게 된다. 회사측은 생산량과

도시바, SOD-523 패키지의 제너 다이오드 출시해

by 이철민 기자 -

자동차 산업의 전기화로 인해 전기 노이즈로 인한 오작동을 방지하기 위한 효과적인 대책의 필요성이 커지고 있다. 여기에는 나노초 단위의 정전기 방전(ESD)과 마이크로초에서 밀리초 단위로 발생할 수 있는 스위칭 서지로부터 보호하는 것이 포함된다. 이에 따라 도시바가 XCEZ 시리즈의 자동차용 서지 보호 제너 다이오드 라인업을 공개했다.

첨단 전력 소재 개발 및 제조 비용 절감 위한 300mm GaN 프로그램

by 이철민 기자 -

나노전자공학 및 디지털 기술 분야의 세계적인 연구개발 기관 아이멕(Imec)이 저·고전압 전력 전자 애플리케이션을 위한 300mm(밀리미터) GaN(질화갈륨) 오픈 이노베이션 프로그램 트랙을 발표했다. 300mm GaN 프로그램 트랙은 GaN 전력 전자에 관한 imec의 산업 제휴 프로그램(IIAP)의 일환으로, 엑시트론(AIXTRON), 글로벌파운드리(GlobalFoundries), KLA 코퍼레이션, 시놉시스(Synopsys), 비코(Veeco)가 첫 파트너로 참여한다. 해당

자피 그룹, 북미 배터리 쇼 2025에서 새로운 고전압 솔루션 공개

by 이철민 기자 -

전기화 기술 분야 글로벌 리더인 자피 그룹(ZAPI GROUP)이 지난 10월 6일~9일 디트로이트에서 열린 북미 배터리 쇼(The Battery Show North America)에서 OEM과 전체 전기화 시장의 변화하는 요구를 충족하도록 설계된 최신 충전 솔루션을 공개했다. 자피 그룹은 이번 쇼에서 다양한 산업 및 모빌리티 전기화 솔루션을 설계하는 OEM을

전력 지능화용 글로벌 디지털화 및 인텔리전스 인덱스는…

by 이철민 기자 -

화웨이가 ‘화웨이 커넥트(HUAWEI CONNECT) 2025’에서 개최된 ‘글로벌 전력 서밋(Global Electric Power Summit)’에서 전력 산업을 위한 ‘글로벌 디지털화 및 인텔리전스 인덱스(Global Digitalization and Intelligence Index, 약칭 GDII)’ 보고서를 발표했다. 이 보고서는 전 세계 전력 기업들이 디지털 전환을 추진하는 과정에서 미래 전력 시스템 구축에

Tronics, IIoT용 진동 센서 시장 본격화

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공장과 에너지 시스템이 더욱 연결되고 자동화된 운영 방식으로 발전함에 따라, 진동 스펙트럼 모니터링은 가동 중단을 유발하기 전에 기계 상태 문제를 파악하는 핵심 도구로 자리매김하고 있다. TDK의 Tronics Microsystems가 예측 유지보수 및 산업용 IoT 애플리케이션을 위한 공정 및 자산 모니터링을 목표로 진동 센서 기술 분야로 진출을

USB 2.0 L1/L2 링크 전력 관리 요구 사항을 충족시키는 Embedded USB2용 IP

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1996년 최초의 IP 제품인 USB 1.0을 출시해 USB IP 사업의 일으켰던 자동차 SoC용 반도체 IP 공급업체인 Arasan Chip Systems가 eUSB v2 컨트롤러와 eUSB v2 PHY IP를 탑재한 eUSB용 Total IP를 출시했다 . 아라산의 eUSB2는 인터페이스 작동 전압 1.2V에서 작동하는 SoC를 대상으로 설계되었다. PC에 널리

소형 폼팩터, 높은 전력 밀도의 고체 배터리

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고체 배터리는 기존 리튬 이온 배터리에 비해 더 높은 에너지 밀도, 향상된 안전성, 더 빠른 충전, 더 긴 수명 등 여러 가지 주요 장점을 제공한다. 기존 리튬 이온 전지와 유사하게 작동하지만 리튬 이온 전지에 사용되는 액체 전해질과 분리막 대신 세라믹이나 폴리머와 같은

WIN Semiconductor, 선형성에 최적화된 GaN 공정 구축해

by 이철민 기자 -

대만의 복합 반도체 파운드리인 WIN Semiconductors가 SiC 기판에서 0.12μm 게이트 길이 고갈 모드(D-모드) GaN HEMT 기술을 발표했다. K-대역에서 V-대역 주파수에 이르기까지 까다로운 고전력 애플리케이션을 위해 설계된 NP12-1B 공정은 차세대 RF 및 마이크로파 시스템을 위한 뛰어난 선형성, 견고성 및 안정성을 갖춘 업계 최고의 고전력

우주에서 개발되는 반도체 소재 공급망 확립된다

by 이철민 기자 -

우주에서 반도체를 만드는 것을 목표로 하는 영국의 소재 회사인 Space Forge가 III-V 반도체 화합물의 대량 결정 성장 분야를 전문으로 하는 미국의 회사인 United Semiconductors와 양해각서(MoU)에 서명했다. 이 계약에 따라 양사는 차세대 반도체 애플리케이션을 개발하고 우주에서 제작된 소재의 시장 진출을 위해 이미 작년에 시작된