Fraunhofer IAF가 프리휠링 다이오드를 내장한 1200V 전압 등급에 적합한 새로운 GaN 모노리식 양방향 스위치(MBDS) 에 대한 논문을 발표했다. 1220V 소자는 프라운호퍼 IAF의 GaN-on-insulator 기술을 사용하여 제작되었다. MBDS는 전압을 차단하고 전류를 양방향으로 전도하여 칩 공간을 절약하고 공핍 영역이 하나만 존재하므로 전도 손실을 줄여준다.
Author: 이철민 기자
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