양방향 충전 시대 열리나?

재생 에너지원을 통한 전력이 새로운 표준이 되면서 독일에서만 2024년 순 발전량의 약 60%가 재생 에너지에서 비롯되었다. 그러나 친환경 전력의 증가는 에너지 공급에 새로운 도전 과제를 던지고 있다. 기존 시스템과의 통합을 위해 더 많은 유연성이 절실히 요구되고 있다. 유로일렉트릭(Euroelectric)/EY 연구에 따르면 2030년까지 유럽의

Navitas’ latest SiCPAK power modules set new standard for unparalleled reliability & efficient high-temperature performance

Navitas Semiconductor, the only pure-play, next-generation power semiconductor company and industry leader in gallium nitride (GaN) power ICs and silicon carbide (SiC) technology, released its latest SiCPAK™ power modules with epoxy-resin potting technology, powered by proprietary trench-assisted planar SiC MOSFET technology, that

배터리 관리 오류 감지하는 자동차용 전류 션트 모니터

다이오드의 ZXCT18xQ 시리즈는 자동차 규격*을 준수하는 고정밀 전류 션트 모니터다. 이 단일 스테이지 계측 증폭기는 2.7V~5.5V 전원에서 작동하면서 최대 26V의 광범위한 공통 모드 전압에 걸쳐 매우 작은 감지 전압을 정확하게 측정한다. 자동차 애플리케이션에는 주변 조명 제어, 배터리 관리, 열선 시트 및 기타 차체

Navitas, GaNSafe로 AEC-Q100와 AEC-Q101 인증받아

Navitas Semiconductor가 자동차 애플리케이션에 대한 AEC-Q100(패키지형 집적 회로) 및 AEC-Q101(개별 반도체) 모두에 대해 GaNSafe IC를 인증받았다. 회사측은 두 가지 표준을 모두 충족한다는 것이 개별 전력 FET 단계와 결합된 IC 솔루션이 모두 이러한 엄격한 사양을 충족한다는 것을 의미한다고 밝혔다. Navitas는 이러한 자격을 뒷받침하기 위해 7년간의

GaN 분야에 일고 있는 유럽-중국 협력 관계

STMicroelectronics와 Innoscience가 최근 GaN 기술 개발 및 제조에 대한 계약을 체결했다. 이에 따라 Innoscience는 중국 외 ST의 전공정 제조 역량을 자사의 GaN 웨이퍼에 활용할 수 있게 되었다. 이 공동 개발 계약에 의해 ST는 중국에 있는 Innoscience의 전공정 제조 역량을 자사의 GaN 웨이퍼에 활용할

IQE, X-FAB와 유럽 기반 GaN 전력 장치 플랫폼 개발 나선다

화합물 반도체 웨이퍼 제품 제조업체인 IQE와 아날로그/혼합 신호 파운드리인 X-FAB이 유럽 기반 GaN 전력 장치 플랫폼 솔루션을 만들기 위해 공동 개발 계약(JDA)을 체결했다. 이에 따라 양사는 향후 2년 동안 650V GaN 소자 개발을 위해 협력하게 된다. 이 계약은 IQE의 GaN 에피택시 설계 및

영국에서도 전기차용 고체 배터리 생산된다

영국의 신생기업 일리카(Ilika)가 영국 배터리 산업화 센터(UK Battery Industrialisation Centre)에서 산업 규모 공정을 통해 생산된 자사의 골리앗(Goliath) 배터리의 탁월한 성능을 입증했다. 이를 계기로 회사측은 배터리의 시장 출시를 계획대로 진행할 예정이라고 밝혔다. 일리카는 지난 2월 골리앗(Goliath) 전해질의 대량 생산 및 자사 독점 복합 전해질-전극