넥스페리아, 40% 더 작은 설치 공간의 업계 최소형 SD 카드 레벨 변환기 출시

자동 방향 제어, EMI 필터, IEC 61000-4-2 ESD 보호 기능을 집적해 핵심 반도체 전문업체인 넥스페라아(Nexperia)가 세계에서 가장 작은 보안 디지털(SD) 카드 레벨 변환기 IC (모델명 - NXS0506UP)를 출시했다. 16 범프 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지의 SD 3.0 호환 양방향 이중 전압 레벨

넥스페리아, 지난 5년간의 발자취를 자축해

핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아(Nexperia)는 2월 8일 반도체 산업에 독립법인으로 진출한 지 5주년을 맞이한다고 발표했다. 이 기간 동안 넥스페리아 브랜드는 비교적 젊은 기업이었지만 수십 년 동안 반도체 제조 분야에서 쌓았던 단단한 실적을 바탕으로 반도체 시장에서 확고히 자리매김했다. 2017년 초부터 넥스페리아는 반도체 분야의 열정과 전문성을

Nexperia의 표면실장형 소자,자동차용 신뢰성 테스트 통과에 성공

핵심 반도체 전문업체인 Nexperia의 표면 실장 소자 패키징 중 하나인 클립 본드 FlatPower 패키지인 CFP15B가 세계 유수의 자동차 공급업체가 실시한 보드 레벨 신뢰성(BLR) 테스트를 처음으로 통과했다. 이 제품은 엔진 제어 장치에 사용될 예정이다. BMR테스트는 반도체 패키지의 견고성과 신뢰도를 평가하는 수단이다. 그 절차는 특히

넥스페리아, ‘파워 라이브’ 가상 컨퍼런스 9월 21일 ~ 23일 개최한다

GaN, MOSFET, 전력 다이오드, 양극성 트랜지스터 등 자동차 및 산업용 소자에 관한 생방송 토의 핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아가 9 월 21 일부터 23 일까지 작년에 이어 두 번째로 연례 가상 컨퍼런스인 '파워 라이브'를 개최한다. 작년에 진행했던 성공적인 첫 행사에 이어 3일간 치러지는 이번

넥스페리아의 핫스왑용 ASFET, SOA와 PCB 공간 향상에 최적화

부하 경감을 최소화하며 전류 공유를 향상시키는 80V,100V 소자 핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아가 80V 와 100V ASFET (특수목적용 MOSFET) 2종을 발표했다. 이 소자들은 향상된 SOA (Safe Operating Area: 안전 동작 영역)를 제공하므로 전자 퓨즈 및 배터리 보호용 산업용 장비와 5 G 통신 시스템 및

넥스페리아, 웨일스의 뉴포트 팹라인 인수해 자동차용 MOSFET, IGBT, 아날로그 및 복합 반도체 제품 생산 확대

핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아가 뉴포트 웨이퍼 팹(Newport Wafer Fab: NWF)을 인수하는 거래를 완료해 글로벌 생산 능력을 높이기 위한 전략을 강화한다. 이번 인수를 통해 넥스페리아는 영국 웨일스에 있는 반도체 생산 시설의 100% 소유권을 확보했다. 넥스페리아 뉴포트는 뉴포트 및 인근 지역의 현재 인력을 승계해

넥스페리아, 업계에서 가장 얇고 작은 표준 로직 DHXQFN 패키지를 14, 16, 20, 24핀 타입으로 출시

작은 폼 팩터 시스템에 많은 로직 기능을 포함시키는 패키지 핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아 (지사장: 김영택)가 표준형 로직 소자에 적용되는 업계 최소, 최박형 14,16, 20 및 24핀 패키지를 출시했다. 이들 중 16핀 DHXQFN 패키지는 업계 표준 DQFN16 리드없는 소자보다 크기가 45% 작다. 이 패키지는

넥스페리아, 맨체스터 8인치 웨이퍼 라인에서 Qrr 성능지수의 80 V/100 V MOSFET 생산 개시

핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아 맨체스터의 새로운 8인치 팹 라인에서 자사의 최신 NexPower 실리콘 기술을 활용해 낮은 온 저항값(RDS(on)), 낮은 역 복구 전하량 (Qrr) 80 V 및 100 V MOSFET을 생산하게 된다고 발표했다. 즉시 생산이 확대될 이 새로운 웨이퍼 라인에서 공급되는 PSMN3R9-100YSF (100 V)

넥스페리아, 반도체 생산 확대에 내년까지 7억 달러 투자

핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아 (지사장: 김영택)가 유럽의 웨이퍼 팹 라인, 아시아의 반도체 조립 공장 및 글로벌 연구개발 사이트를 대상으로 향후 12-15개월 동안 7억 달러를 투자하는 대대적인 성장 전략을 발표했다. 넥스페리아는 이 새로운 투자를 통해 질화 갈륨 (GaN) 기반의 와이드 밴드 갭 반도체 및

넥스페리아의 Low RDS(on) 40 V MOSFET, 자동차 및 산업용 애플리케이션에 최고의 전력 밀도를 제공해

핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아가 자동차 (제품명: BUK7S0R5-40H) 및 산업용 (제품명: PSMNR55-40SSH) 애플리케이션에 적합한0.55 mΩ RDS (on) 40 V 파워 MOSFET을 출시했다. 이 소자는 넥스페리아가 지금까지 생산한 제품들 중 가장 낮은 RDS(on) 40V 용으로서 기존의 D2PAK 소자보다 50배 이상 큰 전력 밀도를 제공한다. 이