삼성전자 SAIT, 강유전물질 기반 시스템 반도체 구현 기술 개발

트랜지스터 구조의 예 (nMOSFET)

삼성전자 SAIT(Samsung Advanced Institute of Technology)가 차세대 반도체 소재로 주목받고 있는 강유전 물질을 기반으로 시스템 반도체를 구현하는 기술을 개발했다. 이 연구를 통해 성능과 전력 효율을 더 높인 차세대 시스템 반도체 구현이 가능할 전망이다. 최근 고성능의 AI 서비스 등이 확산됨에 따라 컴퓨팅 시스템에서 데이터의

시스템반도체, 융복합 반도체로 적용분야 확대 중

시스템반도체는 전기전자 시스템의 신호·정보·에너지 프로세싱 기능을 단일 칩에 통합해 경제성, 편의성, 생산성을 극대화하는 다기능 융·복합 반도체로 진화하고 있다. 전력·에너지 반도체를 비롯해 자동차·프로세서·스토리지·통신방송·멀티미디어 SoC, 고주파반도체, 센서반도체, 바이오/의료기기 SoC, 디스플레이 SoC 등이 해당된다. 세계 시스템반도체 시장은 2011년 약 2113억달러로 전체 반도체 시장 67.9%로 2016년까지 연평균 5.9%