Tag: FET

UnitedSIC, 업계 최상의 6mΩ SiC FET 출시

by 오승모 기자 -

최적의 설계 응용성을 가능하게 하는 9가지의 새로운 제품군 추가 실리콘 카바이드(SiC) 전력반도체 분야의 선도기업인 UnitedSiC (유나이티드실리콘카바이드)는 기존 제품 대비 고성능, 고효율의 SiC FET에 대한 파워 설계자들의 요구사항을 충족하기 위해 업계 최고의 750V, 6mΩ 제품을 출시했다고 밝혔다. 이번에 출시된 6mΩ 신제품은 SiC MOSFET 경쟁사와 비교할

[Hot] 산화물 반도체 FET의 SPICE 모델

by Hordon Kim -

AI 등의 다양한 분야에 활용할 수 있는 산화물 반도체 FET의 SPICE 모델이 인기를 끌고 있다. SEL과 실바코가 공동 개발한 결정 산화물 반도체 CAAC-IGZOⓇ FET (c-axis aligned crystalline indium-gallium-zinc oxide FET)은 누설 전류가 극히 낮아 메모리, IC를 포함한 반도체의 전력 소모를 크게 감소시켜준다. 이에

[특집] GaN (질화갈륨) 반도체 시장, 자동차부터 통신 분야까지 다양하게 파고들어

by Hordon Kim -
renewable energy

GaN(질화갈륨) 전력 소자는 2010년에 International Rectifier가 개발한 이후 2012년에는 최초의 6인치 GaN 온 실리콘 웨이퍼의 출현으로 이어졌다. 베리파이드 마켓 리서치의 최근 발표에 의하면 GaN 반도체 소자 시장은 작년에 16억 3천만 달러의 규모를 형성했던 것으로 추정된다. 이 수치는 2028년에 553억 달러의 규모로 커져,

넥스페리아, 반도체 생산 확대에 내년까지 7억 달러 투자

by 오승모 기자 -

핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아 (지사장: 김영택)가 유럽의 웨이퍼 팹 라인, 아시아의 반도체 조립 공장 및 글로벌 연구개발 사이트를 대상으로 향후 12-15개월 동안 7억 달러를 투자하는 대대적인 성장 전략을 발표했다. 넥스페리아는 이 새로운 투자를 통해 질화 갈륨 (GaN) 기반의 와이드 밴드 갭 반도체 및

실라나 세미컨덕터, 트랜스폼과 동급 최강 65W USB-C PD GaN 어댑터 레퍼런스 설계 개발

by Hordon Kim -

높은 안정성의 고성능 질화갈륨(GaN) 전력 변환 제품을 공급하는 세계적 기업 트랜스폼과 전력밀도 분야의 선두주자인 실라나 세미컨덕터가 세계적인 수준의 GaN 전원 어댑터 레퍼런스 설계를 발표했다. 이 솔루션은 개방형 프레임의 65W USB-C 전력공급(PD) 충전기로 트랜스폼의 SuperGaN® Gen IV 플랫폼과 실라나의 독자적 액티브 클램프 플라이백(Active Clamp