Tag: MOSFET

넥스페리아 트렌치 쇼트키 정류기, 빠른 전환이 필요한 분야의 효율 향상시켜

by PEMK 매거진 -

최고 100V, 20A의 AEC-Q101 인증 소자, 스위칭 손실을 낮추고 안전 동작 영역을 늘려줘 핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아가 최대 100V 및 20A 등급의 트렌치 쇼트키 정류기 포트폴리오를 확장했다. 이 소자들은 우수한 스위칭 동작과 함께 탁월한 열 성능을 특징으로 한다. 이 제품들은 기존의 SMA/SMB/SMC 소자들보다

인피니언, 정적 스위칭 애플리케이션에 최적화한 600V MOSFET 출시

by Hordon Kim -

MOSFET을 저주파 수로 스위칭하는 애플리케이션을 위한 고전력 제품은 전도 손실을 최소화하고 최적의 열 동작을 달성하면서, 시스템 크기와 무게를 줄이고 낮은 비용으로 최대의 품질을 달성해야 한다. 이에 따라 인피니언 테크놀로지스가 정적(static) 스위칭 애플리케이션에 최적화한 산업용 600V CoolMOS™ S7 10mΩ 제품과 자동차 등급의 CoolMOS S7A

GeneSiC, 3300V 및 1700V 1000mΩ SiC MOSFET 출시

by Hordon Kim -

실리콘 카바이드 (SiC) 전력 반도체 전문회사인 GeneSiC Semiconductor가 차세대 3300V 및 1700V 1000mΩ SiC MOSFET (G2R1000MT17J, G2R1000MT17D 및 G2R1000MT33J)을 공급한다. 이 SiC MOSFET은 에너지 저장, 재생 에너지, 산업용 모터, 범용 인버터 및 산업용 조명 전반에 걸쳐 전력 시스템을 개선하고 단순화하는 주력 성능 지수를

도시바, 장비 소형화와 효율 개선에 일조하는 TOLL 패키지의 650V 슈퍼 정션 파워 MOSFET 5종 출시

by Hordon Kim -

도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 가 650V 슈퍼 정션(junction) 파워 MOSFET 5종(TK065U65Z, TK090U65Z, TK110U65Z, TK155U65Z, TK190U65Z)을 출시했다. DTMOSVI 시리즈에 추가된 파워 MOSFET 5종 모두 TOLL(TO-leadless) 패키지로 구성되었으며 이미 양산에 돌입한 상태이다. TOLL은 일반 D2PAK 패키지에 비해 기기 내부에서 차지하는 공간을 약 27% 줄이는

GeneSiC Semiconductor, 6.5kV SiC MOSFET 베어 칩 출시

by Hordon Kim -

광범위한 실리콘 카바이드 (SiC) 전력 반도체의 선구자이자 글로벌 공급 업체인 GeneSiC Semiconductor가 6.5kV SiC MOSFET 베어 칩인 G2R300MT65-CAL 및 G2R325MS65-CAL공급을 시작한 이후 이 기술을 활용 한 전체 SiC 모듈을 출시했다. GeneSiC의 혁신은 SiC DMOSFET 단위 셀에 통합된 JBS (junction barrier schottky) 정류기가 있는

업계 최고 성능을 자랑하는 GeneSiC의 새로운 3 세대 SiC MOSFET

by Hordon Kim -

GeneSiC Semiconductor의 RDS를 지원하는 자동차 및 산업 응용 분야에 효율성과 시스템 안정성을 제공하는 SiC MOSFET이 인기를 얻고 있다. GeneSiC Semiconductor의 3 세대 실리콘 카바이드 MOSFET이 바로 해당 제품이다. 1200V G3R ™ SiC MOSFET은 20 mΩ ~ 350 mΩ의 전례없는 성능을 제공하며 견고함과 높은 효율성을