넥스페리아, 산업용 SiC MOSFET 시장으로 진출

핵심 반도체 전문업체인 Nexperia가 RDS(on) 값이 40mΩ 및 80mΩ인 3핀 TO-247 패키지의 1200V 개별 소자 2종 출시로 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 시장에 진출했다. 이번에 선보인 NSF040120L3A0 및 NSF080120L3A0는 넥스페리아가 향후 출시할 SiC MOSFET 제품들 스루홀 및 표면 실장 패키지에 다양한 RDS(on) 값을

로옴의 제4세대 SiC MOSFET, Hitachi Astemo의 전기자동차용 인버터에 채용

  탈탄소 사회의 실현을 위해 자동차의 전동화가 가속화되는 상황에서 한층 더 고효율로 소형 경량화된 전동 파워 트레인 시스템의 개발이 추진되고 있다. 특히 EV의 경우, 주행 거리 연장 및 탑재 배터리의 소형화를 위해 구동의 중핵을 담당하는 인버터의 고효율화가 과제로 중요시되어 SiC 파워 소자가 주목받는 추세다. 2010년에

GeneSiC, 3300V 및 1700V 1000mΩ SiC MOSFET 출시

실리콘 카바이드 (SiC) 전력 반도체 전문회사인 GeneSiC Semiconductor가 차세대 3300V 및 1700V 1000mΩ SiC MOSFET (G2R1000MT17J, G2R1000MT17D 및 G2R1000MT33J)을 공급한다. 이 SiC MOSFET은 에너지 저장, 재생 에너지, 산업용 모터, 범용 인버터 및 산업용 조명 전반에 걸쳐 전력 시스템을 개선하고 단순화하는 주력 성능 지수를