GeneSiC Semiconductor, 6.5kV SiC MOSFET 베어 칩 출시

광범위한 실리콘 카바이드 (SiC) 전력 반도체의 선구자이자 글로벌 공급 업체인 GeneSiC Semiconductor가 6.5kV SiC MOSFET 베어 칩인 G2R300MT65-CAL 및 G2R325MS65-CAL공급을 시작한 이후 이 기술을 활용 한 전체 SiC 모듈을 출시했다. GeneSiC의 혁신은 SiC DMOSFET 단위 셀에 통합된 JBS (junction barrier schottky) 정류기가 있는

Anglia expands SiC portfolio with UnitedSiC agreement

Anglia Components has announced a new distribution agreement with UnitedSiC to offer its full suite of high-performance SiC FETs, JFETs and Schottky diodes to customers in UK and Ireland. UnitedSiC’s innovative SiC products offer breakthrough performance, highlighted by the recent announcement of the

업계 최고 성능을 자랑하는 GeneSiC의 새로운 3 세대 SiC MOSFET

GeneSiC Semiconductor의 RDS를 지원하는 자동차 및 산업 응용 분야에 효율성과 시스템 안정성을 제공하는 SiC MOSFET이 인기를 얻고 있다. GeneSiC Semiconductor의 3 세대 실리콘 카바이드 MOSFET이 바로 해당 제품이다. 1200V G3R ™ SiC MOSFET은 20 mΩ ~ 350 mΩ의 전례없는 성능을 제공하며 견고함과 높은 효율성을

인피니언, 650V CoolSiC™ Hybrid IGBT 디스크리트 제품군 출시

우수한 스위칭 주파수와 낮은 스위칭 손실로 DC-DC 파워 컨버터와 PFC (역률 보상)에 적합 인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 650V CoolSiC™ Hybrid IGBT 디스크리트 제품군을 출시한다고 밝혔다. CoolSiC Hybrid 제품군은 650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT 기술과 유니폴라 구조의 쇼트키 배리어 CoolSiC 다이오드를 결합했다. 우수한 스위칭 주파수와

온세미컨덕터 650V SiC MOSFET 공개.. 까다로운 애플리케이션의 전력 밀도 향상

뛰어난 스위칭과 높은 신뢰성으로 다양하고 까다로운 애플리케이션의 전력 밀도 향상 에너지 효율 혁신을 주도하는 온세미컨덕터는 전력 밀도, 효율성, 신뢰성이 요구되는 까다로운 애플리케이션을 위한 새로운 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 디바이스를 공개했다. 설계자들은 기존 실리콘 스위칭 기술을 새로운 SiC 디바이스로 대체함으로써, 전기차 온보드 충전기(OBC), 태양광 인버터, 서버

미 법원, 로옴 반도체 USA의 맥스파워 반도체에 대한 특허 불침해 확인 판결에 대한 소송 기각

고성능 전력 반도체 제품 공급사인 맥스파워 반도체는 2021 년 2 월 4 일에 있었던 공판에서 캘리포니아 북부 지구 미 지방 법원이 로옴 반도체의 맥스파워 특허 불침해 확인판결에 대한 항소를 기각했다고 발표했다. 회사측에 따르면 법원은 로옴과 맥스파워의 기술 라이센스 계약이 로옴 USA를 포함한 로옴

Cree, 업계 최고 효율의 전기차 급속충전 및 태양광 시장용 실리콘 카바이드 전력 모듈 포트폴리오 확대

실리콘 카바이드 기술 분야 글로벌 리더인 Cree가 새로운 Wolfspeed WolfPACK™ 전력 모듈을 출시하며 솔루션 제품군을 확대했다. 이를 통해 전기차 급속 충전, 재생에너지 및 에너지 저장, 산업용 전력 애플리케이션 등 다양한 산업용 전력 시장에 새로운 성능의 시대가 기대된다. 1200V Wolfspeed® MOSFET 기술을 사용하는 새로운