글_ 스리잔 아쇼크(Srijan Ashok), 텍사스인스트루먼트(Texas Instruments)
최신 전원 공급 장치 설계에는 고효율과 높은 전력 밀도가 필수이다. 그래서 설계자는 다양한 전력 변환 토폴로지에서 GaN(질화 갈륨) 장치를 사용하고 있다.
GaN을 이용하면 고주파 스위칭이 가능하기 때문에 패시브 크기를 줄여주고, 나아가 밀도를 높여 준다. 또한 GaN은 실리콘이나 SiC(실리콘
도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 가 650V 슈퍼 정션(junction) 파워 MOSFET 5종(TK065U65Z, TK090U65Z, TK110U65Z, TK155U65Z, TK190U65Z)을 출시했다.
DTMOSVI 시리즈에 추가된 파워 MOSFET 5종 모두 TOLL(TO-leadless) 패키지로 구성되었으며 이미 양산에 돌입한 상태이다. TOLL은 일반 D2PAK 패키지에 비해 기기 내부에서 차지하는 공간을 약 27% 줄이는
