Bosch, 전기차 반도체에 15억 달러 투자.. 2030년 말까지 SiC 반도체의 글로벌 포트폴리오를 크게 확장할 것
보쉬는 실리콘 카바이드(SiC) 칩으로 반도체 사업을 확장하기 위해 캘리포니아 로즈빌에 위치한 미국 칩 제조업체 TSI Semiconductors의 자산을 인수할 계획이라고 밝혔다. TSI는 250명의 직원으로 ASIC 파운드리 제조업체로 주로 이동통신, 통신, 에너지 및 생명 과학 산업에 적용되는 200mm 실리콘 웨이퍼 기반의 칩을 개발 생산하고 있다.
보쉬는 앞으로 몇 년 동안 15억 달러 이상을 인수에 나선 로즈빌 사이트에 투자하고 TSI Semiconductors의 제조 시설을 최첨단 공정으로 변환할 계획이다. 이를 통해 보쉬는 오는 2026년부터 혁신적인 소재인 실리콘 카바이드(SiC)를 기반으로 200mm 웨이퍼 기반으로 첫 번째 칩 생산이 가능할 것으로 보인다.
보쉬는 체계적으로 반도체 사업을 강화하고 있는 가운데, 2030년까지 SiC 칩의 글로벌 포트폴리오를 크게 확장한다는 구상이다. 특히, 세계적인 전기 이동성의 급속한 성장으로 인해 이러한 특수 반도체에 대한 수요가 크게 증가하고 있다.
보쉬 이사회 의장인 스테판 하르퉁 박사는 “TSI Semiconductors 인수를 통해 우리는 중요한 판매 시장에서 SiC 칩의 제조 능력을 확립하고 동시에 글로벌 반도체 제조를 확대하고 있다. 로즈빌의 기존 청정실 시설과 전문 인력은 우리가 전기 이동성을 위한 SiC 칩을 훨씬 더 큰 규모로 생산할 수 있게 해 줄 것.”이라고 말했다.
보쉬 이사회의 구성원이자 Mobility Solutions 사업부 의장인 마르쿠스 하인 박사는 “로즈빌 지역은 1984년부터 가동되었으며, 거의 40년 동안 반도체 생산에 광범위한 전문 지식을 쌓아왔다. 이제 우리는 이러한 전문 지식을 보쉬 반도체 제조 네트워크에 통합하게 될 것”이라고 가 기대했다.
TSI Semiconductors 인수로 새로운 제조 능력 창출
로즈빌의 새로운 위치는 보쉬의 국제적인 반도체 제조 네트워크를 강화할 것이다. 리툴링 단계를 거쳐서 2026년부터 첫 번째 SiC 칩이 10,000㎡의 청정실 공간을 제공하는 시설에서 200mm 웨이퍼 위에 생산될 예정이다. 보쉬는 초기 단계부터 SiC 칩의 개발과 생산에 투자해 왔다. 2021년부터는 자체 독자적이고 매우 복잡한 공정을 사용하여 독일 슈투트가르트 근처의 뤼툴링겐에서 대량 생산을 이어오고 있다. 앞으로 뤼툴링겐에서도 200mm 웨이퍼에서 생산에 나설 것이다. 2025년까지 회사는 뤼툴링겐의 청정실 공간을 35,000㎡에서 44,000㎡ 으로 확장할 예정이다. 또한 보쉬의 드레스덴 웨이퍼 팹은 10억 유로를 투자해 2021년 7월부터 생산에 들어갔으며, 이번 미국내 투자와 별도로 보쉬는 유럽에서 반도체 사업에 30억 유로를 추가로 투자할 것을 지난해 발표한 바 있다.
보쉬 Mobility Solutions 사업부 의장인 마르쿠스 하인 박사 “SiC 칩은 전기 이동성에 있어서 핵심 구성 요소이다. 국제적으로 반도체 사업을 확대함으로써 우리는 중요한 전기 자동차 시장에서 지역적인 참여를 강화하고 있다.”라고 말했다.
자동차 산업을 위한 칩에 대한 수요는 여전히 높다. 보쉬는 2025년까지 새로운 차량마다 평균적으로 25개의 칩이 통합될 것으로 예상한다. SiC 칩 시장도 지속적으로 빠르게 성장하고 있다. 연간 평균 30%의 성장률을 보이고 있는 것. 이에 대해 보쉬는 “이 성장의 주된 원동력은 세계적인 전기 이동성의 급증과 확대”라고 평가하고, “전기 자동차에서 SiC 칩은 더 큰 주행 거리와 더 효율적인 충전을 가능하게 하며, 에너지 소비를 최대 50%까지 줄일 수 있다.”고 기대한다.
