특허분석기관인 KnowMade는 작년 4사분기에 SiC와 관련된 900개의 새로운 특허가 출원되었으며 400개의 특허가 승인되었다고 발표했다. 이 기간 동안 100개 이상의 특허가 만료되거나 포기되었고 7개의 주목할 만한 특허가 이전되었다.
보고서에 의하면 이 기간 동안 미국에서는 새로운 IP 소송이 없었고 유럽에서는 특허 반대가 없었다. 주목할 만한 특허 협업이 10건 있었으며 25개 이상의 IP 신규 기업이 새로 진입했다.
소자의 경우 NIO와 FAW 등 중국 자동차 업체의 특허 활동이 주목된다. 특히 NIO는 4사분기에 SiC 트렌치 MOSFET과 관련된 유럽 특허를 공개했다. 자동차 공급망의 다른 업체들 중에서는 Bosch(예: SiC FET의 단락 회로 강도 개선) 및 Nexperia(예: SiC 쇼트키 다이오드의 온 저항 및 서지 성능 개선)가 적극적으로 특허를 출원했다.
회로 및 애플리케이션의 경우, ZF는 활성(스위치 켜짐) 장치의 전류 부하를 빠르게 감지하는 것을 기반으로 병렬 연결된 SiC-MOSFET 및 Si-IGBT를 구동하는 방법을 개발했다. 또한 BMW와 CSA Catapult, 영국의 워릭 대학교 간의 협업을 통해 거친 기계적 조건(예: 강한 진동, 자동차 기기)에서도 고전류 부하 하에서 SiC 소자의 온도 또는 전류를 측정하는 모니터링 장치를 설명하는 새로운 특허를 공개했다.
한편 KnowMade는 2023년에 공개된 특허 껀수가 2021년보다 50% 이상 증가했다고 밝혔다. 중국 기업이 공개한 특허 수는 2021년과 2023년 사이에 약 60% 증가했던 것으로 분석되었다.
