20V 지원·통합 부트스트랩·최적화된 보호기능
세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 하프 브리지 GaN(Gallium Nitride) 게이트 드라이버 STDRIVEG210 및 STDRIVEG211을 출시했다.
STDRIVEG210과 STDRIVEG211은 최대 220V의 레일 전압에서 동작하며, 6V 하이사이드·로우사이드 게이트 신호를 제공하는 내장 선형 레귤레이터, 보호 기능, 분리된 싱크/소스 구동으로 특징을 가진다.
STDRIVEG210은 서버, 통신 전원공급, 배터리 충전기, 태양광 인버터, 어댑터, LED 조명, USB-C 파워 소스 등 넓은 전력 변환 시장을 겨냥했다. 공진형/하드스위칭 토폴로지 모두에 적합하며, 300ns의 빠른 시동 시간으로 간헐 동작 환경에서 효율적이다.
BOM 절감·빠른 스위칭·강력한 내성과 보호 설계
두 제품 모두 부트스트랩 다이오드가 내장돼 하이사이드 드라이버 전원 공급 및 BOM 비용을 줄일 수 있다. 2.4A 싱크/1A 소스 구동 경로(각각 분리됨)로 빠른 스위칭 전환과 손쉬운 dV/dt 제어가 가능하다.
인터로킹, 10ns 정합 전파 지연, ±200V/ns dV/dt 내성, 저전압 차단(UVLO), 과열 보호 등 다중 안전 설계를 갖췄다. STDRIVEG211에는 과전류 감지/스마트 셧다운, 하이사이드 UVLO 보호 기능이 추가 제공돼, 모터 구동 계열에 최적화된다.
소형 QFN 패키지·시장 채택 확대
두 디바이스 모두 5mm x 4mm 크기의 18리드 QFN 패키지로 제공되며, 1,000개 기준 단가는 $1.22부터 시작된다. 전원 접지 분리, 대기(Standby) 핀, 켈빈 소스 게이트 구동 등 실무적 편의성도 강화됐다.
경쟁사 대비 차별화: 통합화·간소화·적용 유연성
ST의 드라이버는 복수 기능(bankable protection), 통합 부트스트랩, 광범위 동작 전압·토폴로지 지원, 간소화된 회로 설계 등이 강점이다. 경쟁 제품들이 여러 칩/외부 부품에 의존하는 반면, ST는 단일 칩으로 높은 신뢰성과 설계 단순성을 실현한다.
GaN 전력 설계에서의 미래적 워크플로우 혁신
이처럼 통합적이고 설계자 친화적인 드라이버 활용은, 기존 실리콘 기반에서 GaN 기반으로 넘어가는 실제 설계 전환의 진입장벽을 낮춘다. 향후 AI·클라우드 연동 전력 및 구동 시스템에서 BOM 절감·설계 속도·안전성 개선 추세가 지속될 전망이다.
