마우저 일렉트로닉스가 보다 청정하고 효율적이며 지속 가능한 분산형 에너지 시스템 개발을 위한 기술 콘텐츠와 실용적인 인사이트를 제공하는 온라인 대체 에너지 리소스 센터를 통해 설계 엔지니어를 지원한다. 이 리소스 센터는 새로운 에너지 개념과 이를 구현하는 데 필요한 부품 및 설계 접근 방식을 연계해 재생에너지
Author: Hordon Kim
Hordon Kim is an international editor at Power Electronics Magazine. He covers global news and events in English and runs a consulting agency in Korea.
AI·칩렛 아키텍처 지원 위한 완전 자동화 310×310mm 패널 레벨 패키징 시스템
콤팩트한 150V 및 200V 트렌치 쇼트키 정류기
CATL, 헝가리에서 배터리 셀 시범 생산 개시
산업용 고서지 전류 내량 3300V SiC MOSFET 모듈
NoMIS Power demonstrates 6.5KV SiC MOSFET, advancing high-voltage roadmap to 10KV and 20 KV SiC IGBTs
NoMIS Power demonstrated the 6.5KV SiC MOSFETs successfully last month. While the company’s MOSFET portfolio scales from 3.3KV (in production) through the demonstrated 6.5KV device, the highest voltage classes – 10KV and above – increasingly favor SiC insulated-gate bipolar transistor (IGBT) architectures
Molex new EBO connector solves space, thermal and maintenance challenges in AI and hyperscale networks
Molex unveiled the VersaBeam Mini, an ultra-compact, 16-fiber Expanded Beam Optical (EBO) connector that solves critical space, thermal and maintenance challenges in high-density AI and hyperscale networks. Building on the award-winning Molex VersaBeam EBO interconnect family, VersaBeam Mini combines expanded beam performance
Future Electronics, 파나소닉의 릴레이 제품 대거 유통
Diodes’ field-plated Super Barrier Rectifier® devices feature industry-leading efficiency and reliability in automotive systems
Diodes unveiled a new family of automotive-compliant* field-plated Super Barrier Rectifier (SBRFP) products that include the 2A SBRFP2M60P1Q and SBRFP2M60SAFQ, 3A SBRFP3M60SAFQ, and 8A SBRFP8A60P5Q. Serving as drop-in replacements for comparable Schottky and PN junction diodes, the SBRFP devices feature industry-leading ultra-low
