Author: Hordon Kim

8인치 특수 파운드리 분야의 선도 기업인 DB하이텍이 차세대 전력 반도체 플랫폼인 650V E-모드 GaN HEMT(질화갈륨 고전자 이동도 트랜지스터) 공정 개발의 최종 단계에 있다고 발표했다. 이에 따라 DB하이텍은 10월 말 GaN 전용 MPW(멀티 프로젝트 웨이퍼) 프로그램을 제공할 예정이다. GaN 기반 반도체는 기존 실리콘 기반

Quantum Motion이 표준 실리콘 CMOS 기술 기반의 업계 최초 풀스택 양자 컴퓨터를 출시했다. 영국 국립 양자 컴퓨팅 센터(NQCC)에 설치된 이 시스템은 실리콘 기반 양자 하드웨어 접근 방식에 있어 중요한 이정표를 이루었다. 이 시스템은 NQCC가 양자 컴퓨팅 테스트베드 프로그램에 따라 구축한 최초의 실리콘 스핀 큐비트 컴퓨터이다. 300mm CMOS