AlpSemi, 차세대 고체 회로 차단기 전력 스위치 시장 확대한다

알프세미가 프랑스의 Yotta Capital 주도하에 SE Ventures, Navitas Semiconductor, Cycle Group이 참여한 1,700만 유로 규모의 투자 라운드를 성공적으로 완료했다. 이 자금은 주거 및 상업용 건물의 고체 차단기(SSCB)와 800V 직류(DC) AI 데이터 센터를 위해 특별히 설계된 AlpSemi의 차세대 반도체 전력 스위치의 산업화 및 상업적

업계 최저 수준의 RDS(on) 200V MOSFET

iDEAL Semiconductor의 업계 최고 수준 온 저항 SuperQ® 200V MOSFET 포트폴리오들은 가장 널리 사용되는 전력 반도체 패키지에 적용된다. 2026년 하반기에 기존 패키지에 200V, 5.5mΩ SuperQ 성능 벤치마크를 확장할 제품들은 다음과 같다. iS20M5R5S1T 는 업계 표준 TOLL 패키지에서 사용 가능한 200V MOSFET 중 가장 낮은 RDS (on)

[Hot] ±0.1% 출력 전압 정확도의 자동차용 션트 레퍼런스 IC

차량에는 끊임없이 변화하는 차량 상태를 정밀하게 모니터링하는 다양한 센서가 장착되어 있다. EV/HEV 인버터의 경우 센서가 전류, 전압 및 모터 각도를 모니터링하여 정밀한 모터 제어를 가능하게 한다. 이러한 센서 신호가 A/D 변환기를 통해 처리될 때, 정확한 디지털 변환을 위해서는 매우 정밀한 기준 전압이

업계 최저 RDS(ON)의 SiC MOSFET

자동차 OEM 업체들이 전동화 목표 달성에 대한 압박에 직면하고 있지만 차량 가격, 안전성, 주행 거리, 충전 인프라 부족은 전기차 보급 확대를 가로막는 장벽으로 남아 있다. Wolfspeed가 이를 해결하기 위해 선보인 5세대 기술은 차세대 1200V 및 750V 자동차 및 산업용 애플리케이션의 효율성을 향상시켜준다.

직접 냉각 방식의 열 관리를 위한 SiC MOSFET용 절연 스루홀 패키지

 Navitas Semiconductor의 UHV-TO-247-4-ISO 패키지는12mm 이상의 핀 간 연면 거리와 6000V 이상의 통합 절연 성능으로 고성능 개별 전력 소자의 새로운 기준을 제시한다. 이 패키지는 1200V~3300V GeneSiC SiC MOSFET용으로 특별히 설계되어 컴팩트한 개별 소자 형태로 모듈형 성능을 제공한다. 표준 비절연 스루홀 패키지와 달리 외부 고전압