Author: 이철민 기자

파워일렉트로닉스 매거진의 뉴스 에디터 입니다. 전력전자 및 배터리, 모빌리티 관련 이야기를 풀어가고 있습니다.

첨단 패키징으로 탄생한 마이크로 배터리

by 이철민 기자 -

마이크로 전고체 배터리(solid-state batteries) 전문 회사인 아이텐(ITEN)과 첨단 패키징 연구 분야의 리더인 A*STAR 마이크로일렉트로닉스 연구소(A*STAR Institute of Microelectronics, 이하 ‘A*STAR IME’)가 A*STAR IME의 최첨단 첨단 패키징 플랫폼을 사용하여 아이텐의 마이크로 배터리를 통합하는 획기적인 성과를 발표했다. 이번 이정표는 인패키지(in-package) 에너지 스토리지 솔루션의 길을

전기차 및 하이브리드 구동계에 혁신적인 버스바 실링 기술

by 이철민 기자 -

모빌리티 전기화 솔루션 파트너인 엔노비(ENNOVI)가 하이브리드 및 전기 자동차(xEV) 구동계에 냉각수 누출을 방지하는 새로운 버스바 실링 기술을 선보였다. ENNOVI-SealTech는 모터, 인버터, 오일펌프 인터페이스와 같은 다양한 응용 분야에서 버스바 또는 기타 인터커넥트와 함께 사용할 수 있다. 엔노비의 도미닉 파블릭(Dominik Pawlik) 파워 인터커넥트 제품 포트폴리오 디렉터는 "EV에서

LTO보다 에너지 밀도 50% 이상 높은 니오븀 기반 배터리 나온다

by 이철민 기자 -

파워 배터리 전문기업 그리너지(Grinergy)가 올해 하반기에 차세대 음극재인 니오븀(Nb) 기반의 XNO 배터리를 출시할 예정이다. XNO 배터리는 기존 리튬타이타네이트(LTO) 배터리보다 에너지 밀도가 50% 이상 향상되고, 원가는 20% 이상 절감될 것으로 예상된다. 이는 고출력과 고신뢰성이 요구되는 산업용 배터리 시장에서 그리너지의 기술력과 수익성을 동시에 높일 핵심

단일벽 탄소나노튜브 전도성 페이스트, EV 리튬 배터리에 적용된다

by 이철민 기자 -

리튬 이온 배터리에 대한 전 세계 수요는 전기차, 드론, EVTOL(전기 수직 이착륙 항공기)을 포함한 소비자 애플리케이션뿐 아니라 AI 서버 백업 전원 장치(BBU), 재생에너지 저장 시스템(ESS), 자동화 로봇 공학을 비롯한 산업 분야에서도 급증하고 있다. 이러한 성장으로 배터리 에너지 밀도와 사이클 수명을 크게 향상할

로옴, 전동차 온보도 차저용 고밀도 SiC 모듈 생산 개시

by 이철민 기자 -

로옴이 xEV (전동차)용 온보드 차저 (이하, OBC)의 PFC 및 LLC 컨버터에 최적인 4in1 및 6in1 구성의 SiC 몰드 타입 모듈 'HSDIP20'의 대량 생산을 시작했다. HSDIP20은 750V 내압으로 6개 제품 (BSTxxx1P4K01), 1,200V 내압으로 7개 제품 (BSTxxx2P4K01)을 라인업으로 구비했다. 이 제품은 다양한 하이파워 어플리케이션의

넥스페리아, D2PAK-7 패키징의 업계 최고 자동차 인증 1200V SiC MOSFET 출시

by 이철민 기자 -

핵심 반도체 전문업체인 Nexperia가 오늘 30, 40, 60mΩ의 RDS(on) 값을 가진 매우 효율적이고 견고한 자동차 인증 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 제품군을 발표했다. 업계 최고의 FoM(Figure-of-Merit)을 제공하는 이 소자들 (모델명: NSF030120D7A0-Q, NSF040120D7A1-Q, NSF060120D7A0-Q)는 이전에 산업용 등급이었지만 AEC-Q101 인증을 받은 제품들이다. 이 제품들은 전기 자동차(EV)의 온보드

CGD, 100kW 이상 전기차 인버터 시장에 GaN 솔루션 제공해

by 이철민 기자 -

에너지 효율적인 GaN 기반 전력 솔루션 업체인 CGD(Cambridge GaN Devices)가 시장 규모 100억 달러를 넘어서는 100kW 이상의 전기차 파워트레인 애플리케이션을 위한 ICeGaN® GaN(Gallium Nitride) 기술 기반의 새로운 솔루션을 공개했다. 이 Combo ICeGaN®은 스마트 ICeGaN HEMT IC와 IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)를 단일 모듈이나 지능형 전력

[PCIM Europe 2025] Fraunhofer IAF, 양방향 GaN 스위치 공개

by 이철민 기자 -

Fraunhofer IAF가 프리휠링 다이오드를 내장한 1200V 전압 등급에 적합한 새로운 GaN 모노리식 양방향 스위치(MBDS) 에 대한 논문을 발표했다. 1220V 소자는 프라운호퍼 IAF의 GaN-on-insulator 기술을 사용하여 제작되었다. MBDS는 전압을 차단하고 전류를 양방향으로 전도하여 칩 공간을 절약하고 공핍 영역이 하나만 존재하므로 전도 손실을 줄여준다.