Author: 이철민 기자

파워일렉트로닉스 매거진의 뉴스 에디터 입니다. 전력전자 및 배터리, 모빌리티 관련 이야기를 풀어가고 있습니다.

양방향 충전 시대 열리나?

by 이철민 기자 -

재생 에너지원을 통한 전력이 새로운 표준이 되면서 독일에서만 2024년 순 발전량의 약 60%가 재생 에너지에서 비롯되었다. 그러나 친환경 전력의 증가는 에너지 공급에 새로운 도전 과제를 던지고 있다. 기존 시스템과의 통합을 위해 더 많은 유연성이 절실히 요구되고 있다. 유로일렉트릭(Euroelectric)/EY 연구에 따르면 2030년까지 유럽의

Navitas’ latest SiCPAK power modules set new standard for unparalleled reliability & efficient high-temperature performance

by 이철민 기자 -

Navitas Semiconductor, the only pure-play, next-generation power semiconductor company and industry leader in gallium nitride (GaN) power ICs and silicon carbide (SiC) technology, released its latest SiCPAK™ power modules with epoxy-resin potting technology, powered by proprietary trench-assisted planar SiC MOSFET technology, that

배터리 관리 오류 감지하는 자동차용 전류 션트 모니터

by 이철민 기자 -

다이오드의 ZXCT18xQ 시리즈는 자동차 규격*을 준수하는 고정밀 전류 션트 모니터다. 이 단일 스테이지 계측 증폭기는 2.7V~5.5V 전원에서 작동하면서 최대 26V의 광범위한 공통 모드 전압에 걸쳐 매우 작은 감지 전압을 정확하게 측정한다. 자동차 애플리케이션에는 주변 조명 제어, 배터리 관리, 열선 시트 및 기타 차체

Navitas, GaNSafe로 AEC-Q100와 AEC-Q101 인증받아

by 이철민 기자 -

Navitas Semiconductor가 자동차 애플리케이션에 대한 AEC-Q100(패키지형 집적 회로) 및 AEC-Q101(개별 반도체) 모두에 대해 GaNSafe IC를 인증받았다. 회사측은 두 가지 표준을 모두 충족한다는 것이 개별 전력 FET 단계와 결합된 IC 솔루션이 모두 이러한 엄격한 사양을 충족한다는 것을 의미한다고 밝혔다. Navitas는 이러한 자격을 뒷받침하기 위해 7년간의

GaN 분야에 일고 있는 유럽-중국 협력 관계

by 이철민 기자 -

STMicroelectronics와 Innoscience가 최근 GaN 기술 개발 및 제조에 대한 계약을 체결했다. 이에 따라 Innoscience는 중국 외 ST의 전공정 제조 역량을 자사의 GaN 웨이퍼에 활용할 수 있게 되었다. 이 공동 개발 계약에 의해 ST는 중국에 있는 Innoscience의 전공정 제조 역량을 자사의 GaN 웨이퍼에 활용할

IQE, X-FAB와 유럽 기반 GaN 전력 장치 플랫폼 개발 나선다

by 이철민 기자 -

화합물 반도체 웨이퍼 제품 제조업체인 IQE와 아날로그/혼합 신호 파운드리인 X-FAB이 유럽 기반 GaN 전력 장치 플랫폼 솔루션을 만들기 위해 공동 개발 계약(JDA)을 체결했다. 이에 따라 양사는 향후 2년 동안 650V GaN 소자 개발을 위해 협력하게 된다. 이 계약은 IQE의 GaN 에피택시 설계 및