STMicroelectronics와 Innoscience가 최근 GaN 기술 개발 및 제조에 대한 계약을 체결했다. 이에 따라 Innoscience는 중국 외 ST의 전공정 제조 역량을 자사의 GaN 웨이퍼에 활용할 수 있게 되었다. 이 공동 개발 계약에 의해 ST는 중국에 있는 Innoscience의 전공정 제조 역량을 자사의 GaN 웨이퍼에 활용할
Author: 이철민 기자
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