실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체 전문 기업인 NoMIS Power가 SiC MOSFET의 단락 회로 내성 시간(SCWT)을 향상시키는 획기적인 기술을 발표했다. 이 혁신 기술은 고전력 애플리케이션에서 SiC 기술의 광범위한 도입을 저해하는 문제를 해결해준다. 그림 1: 고장 직전 단락 조건에서 NoMIS Power SiC MOSFET과 긴 SCWT를 갖는
Author: 이철민 기자
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