[sub-head] Navitas Semiconductor unveils a breakthrough in power conversion that will create a paradigm shift across multiple major end markets. These developments include both semiconductor and system innovations which are expected to drive major improvements in energy efficiency & power density and further
Author: 이철민 기자
파워일렉트로닉스 매거진의 뉴스 에디터 입니다. 전력전자 및 배터리, 모빌리티 관련 이야기를 풀어가고 있습니다.
SemiQ 1200V third-generation SiC MOSFET cuts size, improving performance and reducing switching losses in high-power applications
블루투스 채널 사운딩 인증을 지원하는 RF 테스트 솔루션
암모니아 기반 전력 솔루션, 국내에서도 본격화한다
휴대용 기기의 전원을 효율적으로 설계하려면
GaNFast™ and GeneSiC™ power technologies deliver portability, efficiency, and sustainability for Dell AI notebook computer adapters from 60W to 360W
Navitas Semiconductor announced its adoption of both technologies into Dell’s family of notebook adapters, from 60W to360 W. Enabled by over 20 years of SiC technology leadership, GeneSiC leads on performance of SiC MOSFETs with patented ‘trench-assisted planar’ technology and 5th-gen GeneSiC silicon carbide (SiC) diodes
전기차 트랙션 인버터용 EiceDRIVER™ 절연 게이트 드라이버 IC
넥스페리아, 자동차 업계 최초로 10BASE-T1S OPEN Alliance 규정을 준수하는 ESD 보호 다이오드 제품군 출시
핵심 반도체 전문업체인 Nexperia가 10BASE-T1S 자동차 이더넷 애플리케이션용으로 OPEN Alliance 규정을 준수하는 업계 최초의 ESD 보호 다이오드 제품군을 출시했다. 이 다이오드의 매우 낮은 정전 용량(0.4pF)은 뛰어난 신호 무결성을 유지하면서 100BASE-T1 또는 1000BASE-T1 차량 내 네트워크를 배포하는 고속 애플리케이션을 보호하는 데에 사용할 수 있음을 의미한다. 이 다이오드들은 IEC 61000-4-2가 규정하는 최대 18kV, 및 OPEN Alliance가 규정하는 1,000회 방전 기준 최대 15kV의 단일 라인 ESD 보호 솔루션을 제공한다. 이 소자들은 일반적인 자동차의12V, 트럭 및
