Renesas, 결국 SiC 반도체 생산 포기해

Renesas가 SiC 파트너사인 울프스피드의 파산 신청 예정 소식에 결국 EV용 SiC 칩 생산 계획을 포기한다고 니케이 신문이 보도했다. 이는 전기차 시장의 저성장과 중국 제조업체들이 주도하는 SiC 칩 공급 과잉에 기인한다. 2023년 7월, 르네사스는 울프스피드(Wolfspeed)와의 10년 파트너십을 통해 전력용 SiC 시장 진출을 발표한 바

OpenGMSL 협회 설립돼… 차량 내 커넥티비티 미래 혁신 목표

첨단 운전자 지원 시스템(Advanced Driver Assistance Systems, ADAS)부터 인포테인먼트 및 자율주행에 이르기까지 최신 자동차 시스템에 대한 수요가 빠르게 증가하고 있다. ADAS 비전 시스템은 운전자 안전을 개선하고 사고를 줄이는 중요한 실시간 결정을 내리기 위해 고품질 비디오 데이터에 크게 의존한다. 한편, 터치스크린 인포테인먼트 시스템은

극한의 열과 방사선에 견디는 SiC 칩 개발돼

히로시마 대학과 페니텍 세미컨덕터가 원자력 발전소나 우주 공간에서도 전자 장치가 작동할 수 있도록 하는 내구성이 뛰어난 SiC 기반 반도체를 개발했다고 일본의 아사히 신문이 보도했다. 이 반도체는 기존의 실리콘 기반 반도체보다 열적, 전자적 특성이 더 높아 500도의 온도에서 작동할 수 있으며 최대 1kg의 방사선에도

로옴, 파워 반도체의 시뮬레이션 속도를 향상시키는 새로운 SPICE 모델 내놔

로옴 (ROHM)이 안정성과 시뮬레이션 속도를 향상시킨 SPICE 모델 ROHM Level 3 (L3)을 개발했다. 파워 반도체의 손실은 시스템 전체의 효율에 큰 영향을 미치기 때문에 설계 단계의 시뮬레이션 검증에 있어서 모델의 정밀도가 매우 중요하다. 기존에 로옴에서 제공해온 SiC MOSFET용 SPICE 모델 ROHM Level 1 (L1)은

[Digikey 웨비나] – 최대 효율 및 전력을 지원하는 GaN

어느 부문에서나 전력 수요 증가를 상쇄하려면 작고 효율적인 전력 솔루션이 반드시 필요하다. 이에 따라 DIgikey가 EPC의 최첨단 GaN 기술과 Analog Devices의 GaN 컨트롤러 및 구동기가 어떻게 고성능 전력 변환의 새로운 벤치마크를 제공하는지 소개하는 웨비나를 개최한다. 이 웨비나에서는 EPC의 현장 애플리케이션 부문 선임 엔지니어인 Brian Miller와 Analog Devices의 전력

불가리아에 ‘EU 최대 BESS’ 준공

불가리아에서 약 500MWh 규모의 배터리 에너지 저장 시스템(BESS) 프로젝트가 시작되었다. 유럽연합(EU)에서 가장 큰 규모를 자랑하는 이 BESS는 111개의 배터리 컨테이너로 구성되어 있으며 총 용량은 약 500MWh이다. 불가리아 에너지부 장관 제초 스탄코프는 "이것은 내년 안에 불가리아에서 10,000MWh의 운영 배터리를 보유한다는 목표를 달성하기 위한 첫

차세대 올인원 스트링 PCS 에너지 저장 시스템

친환경 기술 분야 전문업체인 Envision Energy가 차세대 EN 5 Pro 5MWh 올인원 스트링 PCS 에너지 저장 시스템을 출시했다. 고효율 DC+AC 아키텍처, 최첨단 안전 기술, 지능형 분석 기능을 갖춘 EN 5 Pro는 유틸리티 규모 애플리케이션에 최적화된 확장 가능하고 고성능 에너지 저장 시스템에 대한

울프스피드의 파산설로 위기에 처한 SiC 반도체 회사들

급속도로 성장하는 중국 경쟁업체들과의 치열한 경쟁과 산업 및 자동차 시장의 수요 부진에 직면해 미국의 실리콘 카바이드 웨이퍼 제조업체인 울프스피드가 몇 주 안에 파산 신청을 준비 중인 것으로 알려졌다. 이에 따라 르네사스 르네사스는 2023년 울프스피드에게 20억 달러의 선급금을 지불하고 체결한 10년 SiC 웨이퍼 공급

중국 최대 SiC 웨이퍼 공장, 우한에서 생산 개시

중국 최대 규모의 실리콘 카바이드 웨이퍼 공장이 중부 후베이성 ​​우한에서 공식적으로 생산을 개시했다. '중국의 광밸리'로 널리 알려진 동호 고신기술 개발구에 위치한 안후이 양쯔 광섬유 및 케이블 첨단 반도체의 새로운 생산 기지가 최근 첫 6인치 SiC 웨이퍼를 생산하기 시작한 것. YOFC 어드밴스드 세미컨덕터 회장이자 모회사

브리스톨 대학교 팀, 6G용 GaN 기술 혁신해

영국의 연구 중심 대학인 브리스톨 대학이 GaN 기반 RF 전력 증폭기를 더 빠르고 강력하고 안정적으로 만들어 6G 전송을 엄청나게 가속화하는 기술을 발표했다. Nature Electronics 저널에 게재된 이 획기적인 기술은 다중채널 GaN 트랜지스터의 래치 효과를 사용하여 RF 소자의 성능을 더욱 향상시켰다. 브리스톨 대학 물리학 교수이자 공동 주저자인