3,000개 이상 회원사를 둔 글로벌 전자 협회 공식 출범

by 오윤경 기자 -

IPC가 글로벌 전자 협회(Global Electronics Association)로 새롭게 공식 출범하며 전자 산업의 대표 기관으로서 새로운 챕터를 시작하게 된다. 글로벌 전자 협회는 ‘Better electronics for a better world’라는 비전을 중심에 두고 전 세계에 3000개가 넘는 회원사, 수천 개의 파트너, 수십 개의 정부 기관과 협력해

로옴, 컴팩트한 전원 설계용 ‘PFC＋플라이백 제어 레퍼런스’ 개발

by 이철민 기자 -

로옴이 민생, 산업기기용 전원으로 폭넓게 사용되고 있는 전류 임계 모드 PFC (Power Factor Correction)와 의사공진 (Quasi-Resonant) 플라이백 컨버터를 1개의 마이컴으로 제어하는 레퍼런스 디자인 「REF67004」를 새롭게 개발했다. 로옴의 강점인 실리콘 MOSFET 등의 파워 디바이스 및 게이트 드라이버 IC로 구성된 아날로그 제어 파워 스테이지

애로우 일엑트로닉스, 공급망 솔루션 발전을 위해 Hedera Council에 합류

by Hordon Kim -

애로우 일렉트로닉스 가 Hedera 네트워크의 분산형 거버넌스를 지원하고 표준 및 효율성에 중점을 둔 글로벌 공급망 이니셔티브를 개발하기 위해 Hedera Council에 합류했다. Hedera Council은 공개 분산 원장 기술(DLT)인 Hedera Network에서 신뢰, 보안 및 혁신을 촉진하기 위해 선도적인 글로벌 조직으로 구성된 관리 기관이다. 애로우는 Hedera 네트워크를 기반으로 구축된 DLT

Future Electronics, EV 트랙션 인버터 설계를 위한 첨단 Infineon 기술 선보여

by Hordon Kim -

Future Electronics가 전기 자동차(EV) 트랙션 인버터 시스템의 진화하는 요구 사항을 충족하도록 설계된 Infineon Technologies의 포괄적인 칩셋 솔루션을 선보였다. EV 시장이 급속한 성장을 계속함에 따라 트랙션 인버터는 전기 파워트레인의 중요한 부품으로 부상하고 있다. 이러한 시스템은 모터 성능을 향상시켜 탁월한 토크와 가속을 가능하게 할 뿐만

바이코, 2025 전력전자학술대회에서 신흥 산업 기술용의 고성능 모듈형 전력 솔루션 시연

by Hordon Kim -

여러 산업 분야에서 전력 수요가 증가함에 따라 고전압 변환의 중요성이 커지고 있다. 많은 시장에서 48V 버스를 도입하기 시작했는데, 이는 전력 모듈과 함께 사용될 때 전력 공급 네트워크에 많은 이점을 제공한다. 혁신적인 고성능 전력 모듈 분야 전문기업 바이코가 7월 7일부터 10일까지 평창 알펜시아 컨벤션센터에서

고급 패키징을 위한 고체 배터리 통합 혁신 발표

by 이철민 기자 -

마이크로 고체 배터리 분야 전문업체인 ITEN과 첨단 패키징 연구 분야 전문업체인 A*STAR 마이크로일렉트로닉스 연구소(A*STAR IME)가 A*STAR IME의 최첨단 첨단 패키징 플랫폼을 사용하여 ITEN의 마이크로 배터리를 통합하는 획기적인 성과를 이뤄냈다. 이는 패키지 내 에너지 저장 솔루션의 새로운 지평을 열어 더욱 효율적이고 컴팩트하며 안정적인

RFMW, Sonoma Scientific의 고성능 페라이트 절연체 및 써큘레이터 공급 시작해

by Hordon Kim -

RF, 마이크로파 및 전력 부품 전문 유통업체인 RFMW가고품질 페라이트 아이솔레이터 및 서큘레이터를 전문으로 하는 미국 제조업체인 소노마 사이언티픽(Sonoma Scientific)과 새로운 유통 계약을 체결했다. 소노마 사이언티픽의 제품은 RFMW의 고전력 GaN 및 LDMOS RF 및 마이크로파 증폭기와 장치 포트폴리오를 보완하여 고객이 새로운 설계에서 성능을

66%의 전력 부가 효율을 달성한 GaN-on-Si MOSHEMT

by Hordon Kim -

벨기에 연구 기관인 Imec이 저전압 증강 모드 소자에 대해 기록적인 효율과 출력 전력을 달성한 GaN-on-silicon MOSHEMT(금속산화물 반도체 고전자 이동도 트랜지스터)로 모바일 애플리케이션을 위한 RF 트랜지스터 성능에서 새로운 벤치마크를 이뤄냈다. GaN-on-Si e-모드 MOSHEMT는 13GHz 및 5V에서 27.8dBm(1W/mm)의 최고 출력 전력과 66%의 전력 부가 효율(PAE)을