[New] Vishay Intertechnology의 3세대 1200V SiC 쇼트키다이오드

Vishay logo

비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc.)가 16개의 새로운 3세대 1200V 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드를 출시했다. 병합된 PIN 쇼트키(MPS) 설계를 특징으로 하는 비쉐이 반도체 소자들은 높은 서지 전류 견고성과 낮은 순방향 전압 강하, 용량성 충전 및 역방향 누설 전류를 결합하여 스위칭 전원 설계의 효율성과 신뢰성을

ACM 리서치, SiC기판 세정용 Ultra C 장비 첫번째 구매 주문 획득

SiC 기판 세정용 Ultra C 장비

전기 자동차, 전력 변환, 재생 에너지 등 급성장 중인 전력 반도체 시장에 진입 SiC 기판 세정용 Ultra C 장비 반도체 및 첨단 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 애플리케이션을 위한 웨이퍼 처리 솔루션 전문 기업인 ACM 리서치(ACM Research)는 자회사인 ACM 상하이를 통해 SiC 기판 세정용 Ultra C

온세미, GT 어드밴스드 테크놀로지스 인수 완료

온세미, SiC 기술력 향상으로 SiC 솔루션에 대한 고객 요구 반영 지능형 전력 및 센싱 기술의 선도기업인 온세미(onsemi)가 실리콘 카바이드(SiC) 생산업체 GT 어드밴스드 테크놀로지스(GT Advanced Technologies, 이하 GTAT) 인수를 완료했다고 밝혔다. 온세미는 이번 인수를 통해 SiC 공급 능력을 확대할 방침이다. 온세미의 고객들은 GTAT의 결정성장(crystalline growth)에

ST마이크로일렉트로닉스, 200mm SiC 웨이퍼 최초 생산

다양한 전자 애플리케이션과 고객들을 지원하는 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 스웨덴 노르셰핑(Norrköping)에 위치한 자사 시설에서 차세대 전력 디바이스로 프로토타입의 200mm(8인치) 실리콘 카바이드(SiC: Silicon-Carbide) 벌크 웨이퍼를 생산했다. 실리콘 카바이드(SiC)는 화합물 반도체 소재로 전기 모빌리티(e-Mobility) 및 산업용 프로세스에서 빠르게 성장 중인 핵심 전력 애플리케이션에서

인피니언, 최상의 신뢰성과 성능을 제공하는 CoolSiC™ MOSFET 650V 제품군 출시

인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 자사의 실리콘 카바이드 (SiC) 제품 포트폴리오에 650V 제품을 추가한다고 밝혔다. 새롭게 출시되는 CoolSiC™ MOSFET은 점점 증가하는 에너지 효율, 전력 밀도, 견고성에 대한 요구를 충족한다. 적합한 애플리케이션은 서버, 텔레콤, 산업용 SMPS, 태양광 에너지 시스템, 에너지 저장 및 배터리