TI, 델타 일렉트로닉스의 데이터센터 서버 전원공급 장치에 GaN 기술 제공

텍사스 인스트루먼트(TI)는 자사의 GaN 기술과 C2000™ 실시간 마이크로컨트롤러(MCU) 기술을 델타 일렉트로닉스의 전력 효율성이 높은 엔터프라이즈 서버 전원 공급 장치(PSU) 설계를 위해 제공한다고 밝혔다. 이 서버 전원 공급 장치는 기존 아키텍처를 사용하는 엔터프라이즈 서버 전원 공급 장치에 비해 데이터 센터 애플리케이션의 경우 전력

인피니언, 30W~500W 전력대 애플리케이션을 위한 CoolGaN™ IPS 제품군 출시

와이드 밴드갭 (WBG) 소재인 GaN (갈륨 나이트라이드) 기반의 전력 스위치는 뛰어난 효율과 높은 스위칭 주파수를 가능하게 하여 파워 일렉트로닉스의 새 시대를 열 것으로 기대된다. 인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 새로운 CoolGaN™ IPS (integrated power stage) 제품군을 출시하여 자사의 WBG 전력 디바이스 포트폴리오를 강화한다고

TI, EMI 최적화 통합 트랜스포머 기술이 적용된 절연형 전원 컨버터 출시

고전압 산업용 애플리케이션의 전원 솔루션 크기를 최대 80%까지 축소하면서 효율은 극대화 TI(코리아 대표이사 박중서)가 자사 고유의 트랜스포머 통합 기술을 적용해 업계에서 전자파 간섭(EMI)이 가장 낮은 500mW 고효율 절연형 DC/DC 컨버터인 UCC12050을 출시한다고 밝혔다. 이 제품은 높이가 2.65mm에 불과해 솔루션 부피는 디스크리트 솔루션 대비

인피니언, TRENCHSTOP IGBT7을 표준 산업 패키지 EconoDUAL 3로 제공

TRENCHSTOP IGBT7을 채택한 EconoDUAL 3 900A 모듈 출시 인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 새로운 TRENCHSTOP™ IGBT7을 표준 산업 패키지 EconoDUAL™ 3으로 제공한다고 밝혔다. TRENCHSTOP IGBT7 기술 기반의 1200V 모듈은 900A의 정격 전류를 제공하므로, 이전 기술 대비 동일한 프레임 크기로 30퍼센트 더 높은 인버터 출력

인피니언, 높은 효율과 사용 편의성을 최적화한 600V CoolMOS MOSFET 출시

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 600V CoolMOS™ P7 및 600V CoolMOS™ C7 Gold(G7) 시리즈를 출시했다고 밝혔다. 600V 내압으로 설계된 이들 제품은 향상된 수퍼정션(superjunction) MOSFET 성능을 제공하며, 타깃 애플리케이션에서 이전에 볼 수 없었던 전력 밀도를 달성한다. P7 제품은 설계 시에 사용 편의성이 뛰어나고, 최상의 효율

ST, 엠디메쉬(MDmesh™) DM2 N-채널 전력 MOSFET 트랜지스터 출시

ST의 엠디메쉬(MDmesh™) DM2 N-채널 전력 MOSFET 트랜지스터

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 최신 엠디메쉬(MDmesh™) DM2 N-채널 전력 MOSFET 트랜지스터를 공개했다. 컴퓨터, 통신 네트워크, 산업 및 컨수머 기기의 저전력 전원 공급 장치의 효율성을 더욱 향상시킬 수 있는 제품이다. 전세계적으로 전자책, 비디오, 사진, 음악파일과 같은 디지털 데이터를 수집하고, 저장하고, 공유하는 규모가 급격히 증가하는 추세이다.