매우 빠른 스위칭 속도로 동작하는 GaN 트랜지스터를 측정하기 위해서는탁월한 측정 기술뿐만 아니라 고속 파형의 중요한 세부 사항을 포착할 수 있는뛰어난 측정 기법이 필요하다. 이 애플리케이션 노트는 고성능 GaN 트랜지스터를 정확하게평가할 수 있는 측정 기법과 사용자의 요구사항에 부합하는 측정 장비 활용 방안에 중점을두고
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EPC's GaN Power Bench™ gives you instant access to cross reference and replace many competitors’ silicon-based power management devices with eGaN® FETs. Easily compare parametric differences without opening a single datasheet to identify the eGaN FET to increase your design efficiency. Enter a competitor's
[기고] 데드타임을 제거할 수 있는 새로운 대안
EPC releases Phase 14 Report on GaN Reliability and use of physics-based models to project eGaN device lifetime
EPC announced its Phase-14 Reliability Report, documenting the strategy used to achieve a remarkable field reliability record. The rapid adoption of GaN devices in diverse applications calls for the continued accumulation of reliability statistics and research into the fundamental physics of failure in GaN
