NXP, 모바일 네트워크용 5G 멀티칩 모듈에 GaN 통합해 에너지 효율성 향상

5G 인프라용 NXP 멀티칩 모듈 내 GaN 성능을 8% 향상 NXP 반도체는 질화갈륨(GaN) 기술을 멀티칩 모듈 플랫폼에 통합해 5G 에너지 효율성을 크게 향상 했다고 밝혔다. 미국에서 RF 전력 증폭기 전용 팹(fab) 중 가장 고도화된 애리조나 GaN 팹에 투자해 온 NXP는 GaN의 고효율성과 멀티칩

넥스페리아, 반도체 생산 확대에 내년까지 7억 달러 투자

핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아 (지사장: 김영택)가 유럽의 웨이퍼 팹 라인, 아시아의 반도체 조립 공장 및 글로벌 연구개발 사이트를 대상으로 향후 12-15개월 동안 7억 달러를 투자하는 대대적인 성장 전략을 발표했다. 넥스페리아는 이 새로운 투자를 통해 질화 갈륨 (GaN) 기반의 와이드 밴드 갭 반도체 및

PEMK, ‘인터배터리 2021’ 전시회 참가자에게 아이스커피 경품 제공

인터배터리 2021

아시아 3대 이차전지 산업 전시회인 '인터배터리(InterBattery 2021)'가 6월 9일 서울 코엑스 전시장에서 개막, 11일 금요일까지 열린다. 인터배터리는 모바일용 소형 배터리 시장부터 에너지산업, 자동차 산업, 에너지저장장치(ESS)/전기차 등 중대형 전기차 배터리 시장까지 아우르는 전문 전시회이다. 또한 전력 전자 솔루션에 대한 비중이 날로 중요해지는 분야들의 관심이 높아가고

GaN Systems expands automotive product line

GaN Systems, the global leader in GaN power semiconductors, announced the expansion of its family of automotive-grade 650V transistors. The GS-065-060-5-B-A is a 60A, bottom-side cooled transistor developed for demanding high-power electric vehicle applications such as onboard chargers, traction inverters, and DC-DC

파워 인테그레이션스, 모바일 충전기용 플라이백 스위처 출시

에너지 효율적인 전력 변환용 고전압 IC 업계를 선도하는 파워 인테그레이션스가 고주파 ZVS(zero voltage switching, 영전압 스위칭) 플라이백 스위처 IC 제품군 ‘InnoSwitch™4-CZ’를 발표했다. InnoSwitch4-CZ 기기는 파워 인테그레이션스의 PowiGaN™ 기술을 활용한 750V 1차 스위치와 새로운 고주파 액티브 클램프 플라이백 컨트롤러를 통합해 휴대폰, 태블릿, 랩탑용 울트라

인피니언, 30W~500W 전력대 애플리케이션을 위한 CoolGaN™ IPS 제품군 출시

와이드 밴드갭 (WBG) 소재인 GaN (갈륨 나이트라이드) 기반의 전력 스위치는 뛰어난 효율과 높은 스위칭 주파수를 가능하게 하여 파워 일렉트로닉스의 새 시대를 열 것으로 기대된다. 인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 새로운 CoolGaN™ IPS (integrated power stage) 제품군을 출시하여 자사의 WBG 전력 디바이스 포트폴리오를 강화한다고