Tag: GaN

JEDEC Wide Bandgap Power Semiconductor Committee publishes new test method for continuous-switching evaluation of GaN power conversion devices

by Hordon Kim -

JEDEC Solid State Technology Association, the global leader in standards development for the microelectronics industry, announced the publication of JEP182: Test Method for Continuous-Switching Evaluation of Gallium Nitride Power Conversion Devices. Developed by JEDEC’s JC-70 Committee for Wide Bandgap Power Electronic Conversion

벨 파워 솔루션, 데이터 센터의 전원공급장치에 트랜스폼의 GaN 소자 채택해

by PEMK 매거진 -

데이터센터 서버, 라우터 및 네트워크 스위치용으로 고성능 광대역갭 전원 공급 장치(PSU)가 증가하고 있다. 벨 파워 솔루션의 티타늄 효율 전원 공급 장치 6 모델이 트랜스폼의 고전압 GaN 전계효과 트랜지스터(FET)를 채택했다. GaN 기반 TET 시리즈 PSU는 AC-DC 프런트 엔드 공급 장치이다. 전체 제품군은 12VDC의 주

트랜스폼의 전기자동차용 SuperGaN FET, 패키징 상태에서 세계 최저 온-저항

by PEMK 매거진 -

고성능 질화갈륨(GaN) 전력 변환 제품 전문업체인 트랜스폼이 특허 받은 SuperGaN 전계효과 트랜지스터(FET)의 제5세대 제품의 샘플 공급을 시작했다. 트랜스폼의 이 TP65H015G5WS 소자는 전기자동차 시장을 겨냥한 것으로서 설계가 쉬운 것이 특징이다. SuperGaN 계열 제품이기 때문에 원가 구조가 최적화 된 것도 장점. 이 5세대 GaN솔루션은 패키징 된

Teledyne e2v HiRel, 650V 고전력 GaN HEMT 신제품 2종 출시

by PEMK 매거진 -

Teledyne e2v HiRel이 GaN 시스템즈(GaN Systems)의 기술을 기반으로 한 고전력 650V 제품군에 러기다이즈드(ruggedized, 열악한 환경에서도 우수한 내구성 발휘) GaN 전력 HEMT(High Electron Mobility Transistor, 고전자 이동도 트랜지스터) 2종을 추가했다. 650V GaN HEMT 제품군은 시중에서 판매되는 제품 가운데 가장 높은 전압을 자랑하는 GaN 전력

ST마이크로일렉트로닉스, 슈나이더 일렉트릭과 탄소중립 실현 및 에너지 효율 솔루션 공동 개발 나선다

by PEMK 매거진 -

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 2027년까지 탄소중립을 달성하기 위한 전략적 파트너로 슈나이더 일렉트릭(Schneider Electric)을 선정했다고 밝혔다. 에너지 관리 및 자동화 분야 디지털 혁신 선도 기업 슈나이더 일렉트릭은 글로벌 환경 발자국을 줄이고자 하는 지속적인 노력의 일환으로 ST를 지원할 예정이다. 양사는 ST의 제조 및 설계 시설에서의 전반적인

VisIC unveils 8mOhm power switch for EV inverters

by Hordon Kim -

VisIC Technologies, a global leader in gallium nitride (GaN) devices for automotive high-voltage applications, announced its new low resistance product for EV Inverter application that will improve efficiency and manufacturing cost of electric cars. The new 8mOhm product is another step in