Tag: GaN

인피니언, 갈륨 나이트라이드(GaN) 솔루션 출시

by PEMK 매거진 -

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 갈륨 나이트라이드(GaN) 솔루션 CoolGaN™ 600V e-mode HEMT와 GaN EiceDRIVER™ IC 제품을 출시한다고 밝혔다. 더 높은 전력 밀도를 제공하는 이들 제품은 더 작고 가벼운 디자인을 가능하게 하여 시스템 비용과 운영 비용을 낮춘다. 새롭게 출시된 CoolGaN 600V e-mode HEMT는 신뢰할 수

TI, 최대 10kW 애플리케이션을 지원 600V GaN FET 포트폴리오 출시

by PEMK 매거진 -
TI의 고전압 GaN FET

고전압 GaN FET로 산업용 및 통신 애플리케이션에서 전력 밀도 두 배 높여 텍사스인스트루먼트(이하, TI)는 최대 10kW 애플리케이션을 지원할 수 있는 즉시 사용 가능한 600V 질화갈륨(GaN), 50mΩ 및 70mΩ 전력단 포트폴리오를 새롭게 출시했다고 밝혔다. 개발자는 LMG341x 제품군을 사용하여 AC/DC 전원 공급 장치, 로봇, 재생

Richardson RFPD announces availability and support for New 100 W and 300 W power amplifier evaluation boards for wireless power transfer from GaN Systems

by Hordon Kim -
Richardson RFPD, new evaluation boards from GaN Systems

Richardson RFPD (www.richardsonrfpd.com) announced the availability and full design support capabilities for two new evaluation boards from GaN Systems (www.gansystems.com). The new power amplifiers are designed for the growing wireless charging market and feature gallium nitride (GaN) technology that enables smaller, lighter, lower-cost,

마우저, 라이다용 TI LMG1020 로우 사이드 GaN 드라이버 공급

by 오윤경 기자 -

글로벌 전자부품 유통기업 마우저 일렉트로닉스가 라이다 애플리케이션용 TI(텍사스 인스트루먼트)의 GaN(질화갈륨) 드라이버 LMG1020를 공급한다. 단일, 로우 사이드 드라이버인 LMG1020를 사용하면 라이다, ToF 레이저 드라이버, 안면 인식, 증강현실, 클래스 E 무선 충전기 등 속도가 중요한 애플리케이션에서 고효율, 고성능 설계가 가능하다. 마우저가 공급하는 TI의 LMG1020 로우

ST마이크로일렉트로닉스, 프랑스 레티와 전력변환용 GaN-온-실리콘 기술 개발 협력

by 오승모 기자 -

진화된 파워 GaN-on-Si 다이오드 및 트랜지스터 아키텍처 개발 및 상용화 위한 협력 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 프랑스 원자력청(CEA) 산하 전자정보기술연구소 레티(이하 CEA-Leti)와 파워 스위칭 디바이스용 GaN(Gallium Nitride)-on-Silicon 기술의 상용화를 위해 협력한다고 발표했다. 이 파워 GaN-on-Si 기술을 통해 ST는 하이브리드 및 전기 자동차를 위한 온-보드

아나로그디바이스, 광대역 GaN MMIC 증폭기 신제품 출시

by PEMK 매거진 -

신호 처리 어플리케이션용 고성능 반도체 분야 글로벌 선도 기업인 아나로그디바이스(ADI)는 소형 패키지로 제공되는 광대역 갈륨 나이트라이드(GaN) 전력 증폭기 중 동급 최강의 성능을 자랑하는 HMC8205를 출시했다. 300MHz~6GHz의 주파수를 지원하는 고집적 HMC8205는 무선 인프라, 레이더, 공중 이동무선통신(public mobile radio), 펄스나 지속파(continuous wave) 지원이 요구되는 범용

TI, 3상 GaN 기반 인버터 레퍼런스 디자인 제공

by PEMK 매거진 -

TI의 새로운 GaN 전력 설계를 사용하여 99% 효율의 200V AC 서보 드라이브 및 로봇 구동 가능 텍사스인스트루먼트(이하, TI)는 혁신적인 3상 갈륨 나이트라이드(GaN) 기반의 인버터 레퍼런스 디자인을 제공한다고 밝혔다. 개발자들은 이 레퍼런스 디자인을 사용하여 더 빠른 전류 루프 제어, 더 높은 효율, 더 정확한

PCIM 2016 – 파워 전자, 지능형 모션, 신재생 에너지, 에너지 관리 기술의 총집합체 전시회

by PEMK 매거진 -

5월 10일부터 12일까지 독일 뉴렌베르크(Nuremberg)에서 PCIM 2016(Power Conversion Intelligent Motion)가 개최되었다. 반도체 소자 및 소재 전시회로는 세계 최대의 규모를 자랑하는 이 행사에는 501개 업체들이 참가해 최신의 반도체 소자 및 소재와 부품 등을 선보였다. 행사 주최측은 이번에 67개국으로부터 10,053명의 방문객이 다녀갔다며 이 숫자가 작년

마우서, 파나소닉 GaN 파워 솔루션 판매 개시

by PEMK 매거진 -

최신 반도체 및 전자부품의 세계적 유통업체인 마우서 일렉트로닉스(Mouser Electronics)가 파나소닉의 질화 갈륨 (GaN) 솔루션의 판매에 들어간다. 최신 파워 서플라이 설계가 필요로 하는 효율성과 전력 밀도에 부합하기 위해, 많은 설계 엔지니어들이 GaN 기술과 같이 다양한 산업용 및 가전 파워-스위칭 시스템에서 시스템의 크기를 줄이고 에너지를