GaN(질화갈륨) 전력 소자는 2010년에 International Rectifier가 개발한 이후 2012년에는 최초의 6인치 GaN 온 실리콘 웨이퍼의 출현으로 이어졌다. 베리파이드 마켓 리서치의 최근 발표에 의하면 GaN 반도체 소자 시장은 작년에 16억 3천만 달러의 규모를 형성했던 것으로 추정된다. 이 수치는 2028년에 553억 달러의 규모로 커져,
120mA 4채널 LED 드라이버, 업계 최저 입력 전압과 최고 효율 구현
아날로그 혼합 신호 반도체 시장을 선도하는 맥심 인터그레이티드 코리아(대표 한유아)가 업계 최초로 부스트 컨버터를 통합한 저전압 입력 4채널 차량용 LED 백라이트 드라이버 ‘MAX25512’를 출시했다.
자동차에서 시동을 켜고 끄는 스타트-스톱 시스템은 연비를 높여주지만,
핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아가 뉴포트 웨이퍼 팹(Newport Wafer Fab: NWF)을 인수하는 거래를 완료해 글로벌 생산 능력을 높이기 위한 전략을 강화한다.
이번 인수를 통해 넥스페리아는 영국 웨일스에 있는 반도체 생산 시설의 100% 소유권을 확보했다. 넥스페리아 뉴포트는 뉴포트 및 인근 지역의 현재 인력을 승계해
산업기기 및 기지국의 모터 구동에 최적인 40V와 60V 내압의 12개 제품 라인업
로옴 (ROHM)은 공장자동화(FA) 기기와 같은 산업기기 및 기지국 (냉각용 팬)에 탑재되는 모터 구동에 최적이며, 24V 입력에 대응하는 ±40V / ±60V 내압의 MOSFET를 2개 탑재한 듀얼 제품 'QH8Mx5 / SH8Mx5 시리즈 (Nch+Pch)'를
핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아 맨체스터의 새로운 8인치 팹 라인에서 자사의 최신 NexPower 실리콘 기술을 활용해 낮은 온 저항값(RDS(on)), 낮은 역 복구 전하량 (Qrr) 80 V 및 100 V MOSFET을 생산하게 된다고 발표했다.
즉시 생산이 확대될 이 새로운 웨이퍼 라인에서 공급되는 PSMN3R9-100YSF (100 V)
산업기기에 소형, 고신뢰성, 저전력 솔루션 제공
로옴 (ROHM) (본사 : 교토)는 대전력을 취급하는 범용 인버터 및 AC 서보, 산업용 에어컨, 가로등과 같은 산업기기용으로 1700V 내압 SiC MOSFET 내장 AC/DC 컨버터 IC를 개발했다고 밝혔다.
신제품 'BM2SC12xFP2-LBZ'은 압도적인 저전력 성능을 자랑하는 SiC MOSFET와 산업기기의 보조 전원에
핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아 (지사장: 김영택)가 유럽의 웨이퍼 팹 라인, 아시아의 반도체 조립 공장 및 글로벌 연구개발 사이트를 대상으로 향후 12-15개월 동안 7억 달러를 투자하는 대대적인 성장 전략을 발표했다.
넥스페리아는 이 새로운 투자를 통해 질화 갈륨 (GaN) 기반의 와이드 밴드 갭 반도체 및
도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지가 절연 솔리드 스테이트 계전기(SSR)[1] 기능으로 사용되는 고전압 전력 모스펫(MOSFET)의 게이트를 구동시키는 데 적합한 광전지 출력 포토커플러 (모댈명:TLP3910)를 출시했다.
박형 SO6L 패키지로 제공되는 이 제품은 포토 트라이액, 포토 트랜지스터 또는 포토 사이리스터를 출력 장치로 하는
반도체 계전기로 대전류의 ON/OFF
핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아가 자동차 (제품명: BUK7S0R5-40H) 및 산업용 (제품명: PSMNR55-40SSH) 애플리케이션에 적합한0.55 mΩ RDS (on) 40 V 파워 MOSFET을 출시했다.
이 소자는 넥스페리아가 지금까지 생산한 제품들 중 가장 낮은 RDS(on) 40V 용으로서 기존의 D2PAK 소자보다 50배 이상 큰 전력 밀도를 제공한다. 이
새로운 Si828x, 전기차 및 다양한 산업용 애플리케이션에 최적화
실리콘랩스(Silicon Labs, 지사장 백운달)는 자사의 절연형 게이트 드라이버 제품군에 새롭게 Si828x 버전 2를 추가한다고 발표했다. 이로써 실리콘랩스는 보다 효과적으로 SiC(Silicon Carbide) FET(Field Effect Transistor) 게이트를 효과적으로 구동하는 절연형 게이트 드라이버 제품군을 통해 더 높은 전력
